"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение InAs квантовых точек на кремнии
Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Дубровский В.Г.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1, Комяк Н.И.1, Леденцов Н.Н.1, Алферов Ж.И.1, Бимберг Д.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Впервые с помощью методов дифракции быстрых электронов на отражение и сканирующей туннельной микроскопии продемонстрирована возможность получения квантовых точек InAs на Si(100) непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что гетероэпитаксиальный рост в системе InAs/Si осуществляется по механизму Странски--Крастанова, а морфология поверхности существенно зависит от температуры подложки.
  • Ledentsov N.N. // Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors, Berlin, 1996, Ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996). V. 1. P. 19
  • Ishisaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. P. 666
  • Гурьянов Г.М., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. // ЖЭТФ. 197. Т. 67. В. 8. С. 111
  • Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Grundmann M., Kop'ev P.S., Bimberg D. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2968
  • Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.