Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Дубровский В.Г.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1, Комяк Н.И.1, Леденцов Н.Н.1, Алферов Ж.И.1, Бимберг Д.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Берлин, Германия
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Впервые с помощью методов дифракции быстрых электронов на отражение и сканирующей туннельной микроскопии продемонстрирована возможность получения квантовых точек InAs на Si(100) непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что гетероэпитаксиальный рост в системе InAs/Si осуществляется по механизму Странски-Крастанова, а морфология поверхности существенно зависит от температуры подложки.
- Ledentsov N.N. // Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors, Berlin, 1996, Ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996). V. 1. P. 19
- Ishisaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. P. 666
- Гурьянов Г.М., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. // ЖЭТФ. 197. Т. 67. В. 8. С. 111
- Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Grundmann M., Kop'ev P.S., Bimberg D. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2968
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук