"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О рабочей температуре одноэлектронных транзисторов
Абрамов И.И.1, Гончаренко И.А.1, Новик Е.Г.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 25 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Описан модифицированный подход оценки рабочей температуры одноэлектронных транзисторов, приводящий к расчетам, удовлетворительно согласующимся с экспериментальными данными.
  1. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures / Ed. by Grabert H. and Devoret M. // NATO ASI Ser. B: Physics. V. 294. Plenum, New York, 1992
  2. Lutwyche M.I., Wada Y. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 7. P. 3654--3661
  3. Simmons J.G. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N 6. P. 1793--1803
  4. Солдатов Е.С., Ханин В.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 64. В. 7. С. 510--514
  5. Gotz M., Bluthner K. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. N 9. P. 5499--5502
  6. Ali D., Ahmed H. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 16. P. 2119--2120
  7. Ku H.Y., Ullman F.G. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. N 2. P. 265--267
  8. Averin D.V., Likharev K.K. // J. Low Temp. Phys. 1986. V. 62. N 3/4. P. 345--373
  9. Fulton T.A., Dolan G.J. // Phys. Rev. Lett. 1987. V 59. N 1. P. 109--112
  10. Novik E.G., Sheremet I.V., Ivashkevich S.S., Abramov I.I. // Physics Chemistry and Application of Nanostructures. World Scientific, Singapore, 1997. P. 317--321.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.