Энергетические барьеры и центры захвата в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида самария и иттербия
Рожков В.А.1, Трусова А.Ю.1, Бережной И.Г.1
1Самарский государственный университет
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик определены энергетические барьеры для электронов на границах раздела Al-Sm2O3 (2.89-2.91 eV), Ni-Sm2O3 (3.29-3.33 eV), Si-Sm2O3 (2.70-2.72 eV), Al-Yb2O3 (2.90-2.92 eV), Ni-Yb2O3(3.30-3.32 eV), Si-Yb2O3 (3.18-3.21 eV) в кремниевых металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структурах с диэлектриком из оксида самария и иттербия. Исследованы параметры глубоких электронных ловушек в оксиде самария и иттербия. Определены энергетическое положение электронных центров захвата, величина и "центроид" захваченного заряда, отношение захваченного в диэлектрике заряда к прошедшему через структуру заряду. Показано, что "центроид" захваченного заряда располагается почти в центре диэлектрического слоя для обеих исследованных структур. Установлено, что в исследованных МДП-структурах граница раздела оксид редкоземельного элемента-Si резкая и не содержит протяженного нарушенного слоя.
- Вдовин О.С., Кирьяшкина З.И., Котелков В.Н. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах. 1983. Саратовский госуниверситет. С. 160
- Рожков В.А., Петров А.И. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. В. 1. С. 49--52
- Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. N 10. С. 118--123
- Deal B.E., Snow E.H., Mead С.А. // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. N 11/12. P. 1873--1879
- Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. N 6. P. 2424--2432
- Berglund C.N., Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 573--581
- Di Maria D.J. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N 9. P. 4073--4079
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук