"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Низкотемпературная фотолюминесценция твердых растворов InGaP, облученных тяжелыми ионами
Бхаттачарья Д.1, Винокуров Д.А.1, Гусинский Г.М.1, Елюхин В.А.1, Коваленков О.В.1, Кютт Р.Н.1, Марш Д.1, Найденов В.О.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург Glasgow University, Glasgow G12 8QQ, Scotland, UK
Поступила в редакцию: 3 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Анализ спектров фотолюминесценции (ФЛ) образцов твердых растворов In(0.5)Ga(0.5)P до и после имплантации их высокоэнергетичными ионами азота дозами 1011-5·1012 cm-2 показывает, что в имплантированных (и отожженных) образцах ФЛ может быть результатом формирования фактически одномерных полупроводниковых структур на местах одиночных треков ионов.
  1. Naidenov V.O., Gusinsky G.M., Elukhin V.A., Portnoy E.L., Marsh J.H. // Abstr. of 10-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. Conf. on Surface Modification of Metals by Ion Beams. Gatlinburg, Tennessee, USA, 1997
  2. Elukhin V.A., Portnoy E.L., Avrutin E.A., Marsh J.H. // J. Cryst. Crowth. 1996. V. 173. P. 69
  3. Toulemonde M., Dufour C, Paumier E. // Physical Review B. 1992. V. 46. N 22. P. 14 362
  4. Vetter J., Scholz N., Angert N. // Nuclear Instrum. and Methods in Phys. Res. 1994 B91. P. 129

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.