Измерение тепловых и электронных параметров полупроводников методом "мираж"-эффект с импульсным возбуждением и раздвоением пробного луча
Петровский А.Н.1, Лапшин К.В.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт
Поступила в редакцию: 13 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Описана методика, которая обеспечивает качественное увеличение точности определения тепловых и электронных параметров полупроводниковых образцов.
- Зуев В.В., Мехтиев М.М., Мухин Д.О. и др. Препринт МИФИ N 031-90. М., 1990. 24 с
- Petrovsky A.N., Salnick A.O., Zuev V.V. et al. // Solid State Comm. 1992. V. 81. N 3. P. 223--225
- Лапшин К.В., Петровский А.Н., Зуев В.В. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 1. С. 24--28
- Лапшин К.В., Петровский А.Н., Зуев В.В. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 21. С. 60--64
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит-ры, 1988. 512 с
- Акустические кристаллы / Под ред. Шаскольского М.П. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит-ры, 1982. 632 с
- Мехтиев М.М., Зуев В.В., Петровский А.Н. Препринт МИФИ N 014-96. М., 1996. 40 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук