"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение регулярных трехмерных (3М) решеток кремниевых кластеров субмикронных размеров в матрице SiO2 (опале)
Богомолов В.Н.1, Голубев В.Г.1, Картенко Н.Ф.1, Курдюков Д.А.1, Певцов А.Б.1, Прокофьев А.В.1, Ратников В.В.1, Феоктистов Н.А.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Кремний до сих пор является основным материалом современной твердотельной электроники. В подрешетке пустот опалов (SiO2) были получены правильные системы кремниевых нанокластеров с числом элементов до 1014 cm-3. Использование трехмерных диэлектрических матриц-носителей типа опалов позволяет надеяться на получение 3М ансамблей полупроводниковых наноприборов. В работе измерен ряд параметров нанокомпозитов "опал-кремний".
  1. Bogomolov V.N., Ktitorov S.S., Kurdyukov D.A. etc. Abstr. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, 26--30 June, 1995. P. 189--192
  2. Astratov V.N., Bogomolov V.N., Kaplyanskii A.A. etc. // II Nuovo Cimento. 1995. V. D7. N 11. P. 1349--1355
  3. Богомолов В.Н., Курдюков Д.А., Прокофьев А.В., Самойлович С.М. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. В. 7. С. 496--499
  4. Богомолов В.Н., Павлова Т.М. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 5. С. 826--842
  5. Igbal Z., Veprek // J. Phys. C: Solid State Phys. 1982. V. 15. P. 377--385
  6. Campbell L.H., Fauchet P.M. // Solid State Commun. 1986. V. 58. N 10. P. 739--743
  7. Pevtsov A.B., Davydov V.Yu., Feoktistov N.A., Karpov V.G. // Phys. Rev. E. 1995. V. B52. N 2. P. 955--968
  8. Голубев В.Г., Давыдов В.Ю., Певцов А.Б., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 1997. Т. 19. В. 8. С. 1348--1357

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.