"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12744
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
177

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
О поверхностном течении слабопроводящей жидкости в электрическом поле
14
Действие высокочастотного электрического поля на поверхностную ориентацию нематического жидкого кристалла
14
Особенности эпитаксиального роста CeO 2 пленок на кремниевых подложках
12
Диагностика кильватерных полей в плазме с использованием зондирующего электронного пучка и микроканальных пластин
12
Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов
11
E-поляризованные колебания в открытом резонаторе с эшелеттным зеркалом
11
Эффект сильной зависимости ориентации вектора электрического поля от частоты при резонансном преобразовании круговой поляризации в линейную на решетке из многозаходных спиралей
11
О физическом механизме эффекта Соколова
11
Метод получения внутренних поляризованных мишеней из средних и тяжелых ядер для ускорителей-накопителей
10
Самоорганизация металлического расплава при его турбулентном электровихревом перемешивании
10
О модели переноса водорода в серебре
10
Наблюдение формирования микрогетерофазного состояния на границе раздела двух слаборастворимых жидкостей в результате механического перемешивания
10
Фотопроводимость пленок Ленгмюра--Блоджетт корбатина
10
Применение радиолокационных средств для дистанционного контроля радиационной обстановки
10
Взаимодействия капли жидкости с твердой поверхностью
10
Исследование заряда диэлектрика и границы раздела кремний --- свинцовосиликатное стекло
10
Эффект влияния заряда на структуру спектра капиллярных волн в тонком слое вязкой жидкости
10
Оценка параметров плазмы высоковольтного разряда с замедленным вводом энергии в газе высокого давления, занимающего малый объем
10
Нестабильность термодинамических параметров предплавления ионных кристаллов
10
Особенности возбуждения перекрестного желобкового резонатора в лазере на свободных электронах
10
Статья
Просмотров
Действие высокочастотного электрического поля на поверхностную ориентацию нематического жидкого кристалла
2137
Влияние процесса намагничивания в металлических многослойных пленках на спектр и затухание поверхностных акустических волн лява
1565
Эффект дальнодействия в условиях радиационно-индуцированного кинетического фазового перехода
1395
Влияние скорости роста пленок YBa 2Cu 3O 7-delta на ориентацию кристаллографических осей
1278
Сенсибилизация люминесценции иттербия ионами трехвалентного титана в алюмосиликофосфатном стекле
1219
Спектрально-угловая селективность отражающих голограмм
1206
Эффективное извлечение газа из жидкости с помощью микроволн при практически неизменной температуре
1193
Влияние вторичной электронной эмиссии на ВЧ пробой газа низкого давления
1140
О модели переноса водорода в серебре
1140
Быстрая фотолюминесценция импульсно-анодированного кремния
1135
Изменение величины нейтронного потока при его взаимодействии с кристаллами K(H xD 1- x) 2PO 4 в окрестности TC
1129
Временные характеристики нематических жидкокристаллических ячеек с различными ориентирующими покрытиями
1124
Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения
1119
Технология изготовления и характеристики диэлектрических слоев тонкопленочных RC фильтров для джозефсоновских и одноэлектронных устройств
1112
Физический метод управления потоком в гиперзвуковом воздухозаборнике
1102
Пучково-плазменный разогрев электронов --- возможный механизм образования плотной плазмы в псевдоискровом разряде
1073
Об использовании собственного синхротронного излучения для иллюминации катода фотоинжектора в циклическом лазере на свободных электронах
1072
Исследование электрического разряда в воздухе с капиллярным электролитическим электродом
1066
Неизотермические триггерные переходные процессы в полупроводниковом лазере
1063
О влиянии поверхностно активных веществ на закономерности развития неустойчивости заряженной поверхности жидкости
1063
Кооперативные явления в наноструктурированных пленках на основе оксидов олова и титана
1062
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
1060
Воздействие СВЧ-плазмы с электронно-циклотронным резонансом на электрофизические свойства алмазоподобных углеродных пленок
1060
Возбуждение магнитостатических волн в ферромагнитной пленке, помещенной в неоднородное магнитное поле
1060
Подавление модуляционной неустойчивости при взаимодействии двухскоростного электронного потока с обратной электромагнитной волной
1060
Обнаружение антиферромагнитной фазы в стеклах, легированных окислами переходных металлов, по ее магнитозависимому микроволновому поглощению
1058
Задача реконструкции математической модели применительно к электрокардиограмме
1058
О межфазной энергии твердое тело--расплав разнородных металлов
1056
Пороговая интенсивность микроволнового излучения, вызывающего S-N переход тонкой ВТСП пленки
1054
Использование особенностей ударной ионизации в тонких полупроводниковых пленках для модуляции электромагнитного излучения в коротковолновой части СВЧ диапазона
1052
Влияние эффектов поступательной неравновесности на кинетику физико-химических превращений во фронте ударной волны
1050
Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов
1049
Особенности устройства пространства параметров двух связанных неавтономных неизохронных осцилляторов
1048
Энергетическая оптимизация распылительных систем на базе комбинированного ВЧ индукционно-емкостного разряда
1047
Влияние эффекта поля на характеристики поверхностных акустических волн в структуре металл--диэлектрик--полупроводник на основе арсенида галлия
1047
Конденсация аргона за звуковым соплом и диафрагмой
1045
Микроволновой разряд в лазерной плазме
1045
Фоточувствительность структур на анодизированных слоях карбида кремния
1045
Эффект укручения фронта светового импульса при распространении в среде в режиме адиабатического переноса населенностей
1043
Моделирование структуры аморфных полимеров как перколяционного кластера
1042
Взаимодействие атомов кремния с поверхностью иридия под воздействием сильного электрического поля и нагрева
1041
Низкотемпературное осаждение углеродных пленок различного фазового состава в плазме газового СВЧ-разряда с ЭЦР
1040
Микроструктура пленок германия, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках арсенида галлия
1040
Диссипативные структуры и катодолюминесценция слоев GaAlAs, полученных мос-гидридным способом
1040
Седло-фокус в модели электрической активности сердца человека
1039
Влияние добавок Cs на структуру и свойства (Bi, Pb)--Sr--Ca--Cu--O сверхпроводников
1038
Лазерное возбуждение оптоакустических сигналов в море, покрытом слоем льда
1038
Деполяризация излучения в градиентном оптическом волноводе
1037
Влияние индуцированных структурных фазовых переходов на тепловые свойства высокотемпературных сверхпроводников
1037
О квазихаотическом характере структуры излучения инжекционных лазеров с внешним резонатором
1035
Автор
Организация
Статей
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
8
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
6
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет
6
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Дрижук А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Анищенко В.С.
Саратовский государственный университет
4
Зайцев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
4
Сидоров В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сидоров Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
4
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иову М.С.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Коломейко Е.П.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Трофимов В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Гременок В.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
3
Коош М.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Вихарев А.Л.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Почик И.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Попов В.Л.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Белых Т.А.
Уральский государственный технический университет
3
Згонник В.Н.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
3
Меленевская Е.Ю.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Виноградова Л.В.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Барышников Ф.Ф.
ГП ОКБ ''Гранат'' Москва
3
Янсон Н.Б.
Саратовский государственный университет
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН Москва
3
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет
3
Капитонова Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шпак В.Г.
Институт электрофизики УрО РАН Институт физики металлов УрО РАН
2
Селемир В.Д.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
2
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Итс Е.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
2
Ким А.С.
Пермский государственный университет
2
Дмитриев С.Г.
Инстиут радиотехники и электроники РАН Фрязино, Моск. обл.
2
Шунайлов С.А.
Институт электрофизики УрО РАН Институт физики металлов УрО РАН
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудрявцева Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подласкин Б.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Агеев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булатов В.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шагимуратов О.Г.
Инстиут радиотехники и электроники РАН Фрязино, Моск. обл.
2
Ульмаскулов М.Р.
Институт электрофизики УрО РАН Институт физики металлов УрО РАН
2
Шульгин Б.В.
Уральский государственный технический университет
2
Калитеевская Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
48
Ярославский государственный университет
9
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
6
Симферопольский государственный университет
6
Пермский государственный университет
5
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
4
Харьковский государственный университет
4
Санкт-Петербургский государственный технический университет
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Институт физической химии РАН Москва
3
Саратовский государственный университет
3
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
3
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников НАН Украины Киев
2
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Институт общей физики РАН Москва
2
ГП ОКБ ''Гранат'' Москва
2
Кабардино-Балкарская Государственная сельскохозяйственная академия Нальчик
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
2
Саратовский государственный университет кафедра радиофизики Лаборатория нелинейной динамики
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова Ульяновск
2
Нижегородский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Научно-исследовательский институт импульсной техники Москва
2
Российский научный центр ''Курчатовский институт'' Москва
2
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва
2
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
1
Уральский политехнический институт Екатеринбург
1
Университет Толидо США Институт физики НАН Украины Киев
1
Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики Арзамас-16
1
Институт электрофизики УрО РАН Институт физики металлов УрО РАН
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Центральный аэрогидродинамический институт Москва
1
Отдел теплофизики АН РУз Ташкент
1
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme