Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный технический университет, С.-Петербург
8
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
7
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
6
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет
6
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный технический университет, С.-Петербург
6
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный технический университет, С.-Петербург
5
Дрижук А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зайцев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сидоров В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сидоров Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
4
Попов В.Л.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН Москва
3
Янсон Н.Б.
Саратовский государственный университет
3
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет
3
Барышников Ф.Ф.
ГП ОКБ ''Гранат'' Москва
3
Згонник В.Н.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
3
Виноградова Л.В.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
3
Меленевская Е.Ю.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
3
Трофимов В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Вихарев А.Л.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
3
Булатов В.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Белых Т.А.
Институт физики металлов УрО РАН Уральский государственный технический университет-УПИ Екатеринбург
3
Подласкин Б.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шутов С.В.
Херсонский индустриальный институт
3
Гременок В.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск, Беларусь Университет Салфорд, факультет электроники и электрической инженерии, Салфорд, Англия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
3
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
3
Шахвердиев Э.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Смольский О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Денисов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мамутин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Максимов К.С.
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Максимов С.К.
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Агеев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекренев А.Н.
Самарский государственный технический университет
2
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шпак В.Г.
Институт электрофизики УрО РАН Институт сильноточной электроники СО РАН Екатеринбург
2
Шунайлов С.А.
Институт электрофизики УрО РАН Институт сильноточной электроники СО РАН Екатеринбург
2
Ульмаскулов М.Р.
Институт электрофизики УрО РАН Институт сильноточной электроники СО РАН Екатеринбург
2
Яландин М.И.
Институт электрофизики УрО РАН Институт сильноточной электроники СО РАН Екатеринбург
2
Козлов В.А.
Институт микроэлектроники РАН Ярославль Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе С.-Петербург
2
Пополитов В.И.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
2
Будников В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Есипов Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Итс Е.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязино, Моск. обл.
2
Шагимуратов О.Г.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязино, Моск. обл.
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Андреева Е.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Картенко Н.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мелех Б.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дохов М.П.
Кабардино-Балкарская Государственная сельскохозяйственная академия Нальчик
2
Поздеев В.А.
Институт импульсных процессов и технологий НАН Украины Николаев
2
Каманина Н.В.
ВНЦ ''ГОИ им. С.И. Вавилова'' С.-Петербург
2
Ушаков Н.М.
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
2
Мазец И.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
2
Матисов Б.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
2
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Лаврентьев В.И.
Сумский институт модификации поверхности Украина Инженерно-строительная академия Томск, Россия Институт металлофизики НАН Украины Киев, Украина
2
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности Украина Инженерно-строительная академия Томск, Россия Институт металлофизики НАН Украины Киев, Украина
2
Иванов Ю.Ф.
Сумский институт модификации поверхности Украина Инженерно-строительная академия Томск, Россия Институт металлофизики НАН Украины Киев, Украина
2
Стайко В.В.
Сумский институт модификации поверхности Украина Инженерно-строительная академия Томск, Россия Институт металлофизики НАН Украины Киев, Украина
2
Ляхов Б.Ф.
Институт физической химии РАН Москва
2
Саунин Е.И.
Институт физической химии РАН Москва
2
Бардышев И.И.
Институт физической химии РАН Москва
2
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет
2
Калитеевская Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грошенко Н.А.
Симферопольский государственный университет
2
Балакирев В.А.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
2
Шелепин Л.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Романовский В.Р.
Российский научный центр ''Курчатовский институт'' Москва
2
Шулиманова З.Л.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Щукин Е.Р.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Еремчук Т.М.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонова Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тропп Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
2
Поздняков О.Ф.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
2
Редков Б.П.
Институт проблем машиноведения РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН
2
Владимиров Г.Г.
Институт физики С.-Петербургского государственного университета
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конторович Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бурков В.Д.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинская часть
2
Егоров Ф.А.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинская часть
2
Потапов В.Т.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинская часть
2
Попова С.Л.
Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики
2
Иванов О.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Колыско А.Л.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Максимов И.Л.
Нижегородский государственный университет
2
Короза В.И.
Научно-исследовательский институт импульсной техники Москва
2
Лошкарева Н.Н.
Институт физики металлов УрО РАН Уральский государственный технический университет-УПИ Екатеринбург
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов УрО РАН Уральский государственный технический университет-УПИ Екатеринбург
2
Былинкина Н.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
2
Муштакова С.П.
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
2
Яфаров Р.К.
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
2
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ким А.С.
Пермский государственный университет
2
Токранова Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Четвериков А.П.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Самойлов Н.А.
Херсонский индустриальный институт
2
Викторов И.А.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск, Беларусь Университет Салфорд, факультет электроники и электрической инженерии, Салфорд, Англия
2
Киндяк В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск, Беларусь Университет Салфорд, факультет электроники и электрической инженерии, Салфорд, Англия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
2
Аргунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
2
Белякова Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
2
Кудрявцева Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
2
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
2
Дудин С.В.
Харьковский государственный университет
2
Зыков А.В.
Харьковский государственный университет
2
Давыдов В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Вуль А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН Троицк, Московская обл. Laboratorie de Chimie Physique, JE 408, Faculte de Pharmacie Tours, France Laboratorie de Chimie Physique des Materiaux Amopphes, URA D, CNRS, Bat. 490, Universite Paris Sud, Orsay, France
2
Петров Н.И.
Всесоюзный электротехнический институт Высоковольтный научно-исследовательский центр Истра
2
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Республики Грузия
2
Фареник В.И.
Харьковский государственный университет
2
Ковалев В.Г.
Институт импульсных процессов и технологий АН Украины Николаев
2
Селемир В.Д.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2
Мельчер Ч.Л.
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Скачков И.Н.
Уральский политехнический институт Екатеринбург
1
Сивов А.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
1
Проскуровский Д.И.
Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
1
Иванова Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Подушникова К.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хоконов М.Х.
Кабардино-Балкарский государственный университет
1
Покоев А.В.
Самарский государственный университет
1
Белик В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емец Б.Г.
Харьковский государственный университет
1
Микляев Ю.В.
Лаборатория нелинейной оптики, Челябинский государственный технический университет Челябинск
1
Захарченко Р.В.
Национальный технический университет (КПИ) Киев, Украина Университет Виргиния, Ричмонд, США (Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia, VA-- USA) Институт физики полупроводников НАН Украины Киев, Украина
1
Клименко И.С.
Институт бизнеса, информатики и телекоммуникаций Москва
1
Войнович П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Губанов И.В.
Сумский госуниверситет Украина Университет Цинциннати США
1
Стоянов Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мерзон Г.И.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный технический университет, С.-Петербург
1
Положий К.И.
Харьковский государственный университет
1
Порубов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Анисимкин В.И.
Институт радиотехники и электроники РАН Москва Институт акустики им. О.М.Корбино, СНИ, Рим
1
Черемской А.Г.
Харьковский государственный политехнический университет
1
Чубарев В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
АООТ ''Катод'', Новосибирск
1
Szwarc H.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН Троицк, Московская обл. Laboratorie de Chimie Physique, JE 408, Faculte de Pharmacie Tours, France Laboratorie de Chimie Physique des Materiaux Amopphes, URA D, CNRS, Bat. 490, Universite Paris Sud, Orsay, France
1
Какичашвили Е.Ш.
Институт кибернетики АН Республики Грузия
1
Бондаренко В.П.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук