"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
11948
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
67

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Действие высокочастотного электрического поля на поверхностную ориентацию нематического жидкого кристалла
37
Свойства эпитаксиального арсенида галлия, полученного из растворов-расплавов на основе висмута
22
Конденсация аргона за звуковым соплом и диафрагмой
22
Неизотермические триггерные переходные процессы в полупроводниковом лазере
21
Формирование плазменного столба объемного газового разряда с предварительной ионизацией
20
Сенсибилизация люминесценции иттербия ионами трехвалентного титана в алюмосиликофосфатном стекле
20
Генерация и наблюдение солитона продольной деформации в пластине
19
Влияние эффекта поля на характеристики поверхностных акустических волн в структуре металл--диэлектрик--полупроводник на основе арсенида галлия
19
Экспериментальное изучение начальных стадий роста пленок YB2Cu3O 7- x на сапфире с подслоем оксида церия
18
Исследование электрического разряда в воздухе с капиллярным электролитическим электродом
18
Формирование ион-ионной плазмы в паузах тока импульсных источников отрицательных ионов
18
Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов
18
Метод регистрации кинетики гетерогенной химической реакции, протекающей на твердой поверхности
17
Пассивная синхронизация мод в двулучепреломляющем волоконном лазере
17
Фоточувствительность структур на анодизированных слоях карбида кремния
17
Эффект дальнодействия в условиях радиационно-индуцированного кинетического фазового перехода
17
Влияние вторичной электронной эмиссии на ВЧ пробой газа низкого давления
17
Оптические переходы в области фундаментального края поглощения в лазерно-осажденных тонких пленках CuIn(Te0.15Se0.85)2
17
Взаимодействие резонансно-туннельного диода с подложкой через распределенную границу
17
Сегнетоэлектрические конденсаторные структуры на кремнии для интегральных микросхем энергозависимой памяти
17
Статья
Просмотров
Действие высокочастотного электрического поля на поверхностную ориентацию нематического жидкого кристалла
858
Эффект дальнодействия в условиях радиационно-индуцированного кинетического фазового перехода
782
Спектрально-угловая селективность отражающих голограмм
723
Эффективное извлечение газа из жидкости с помощью микроволн при практически неизменной температуре
696
Сенсибилизация люминесценции иттербия ионами трехвалентного титана в алюмосиликофосфатном стекле
677
Временные характеристики нематических жидкокристаллических ячеек с различными ориентирующими покрытиями
630
Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения
615
Влияние вторичной электронной эмиссии на ВЧ пробой газа низкого давления
608
О модели переноса водорода в серебре
604
Пучково-плазменный разогрев электронов --- возможный механизм образования плотной плазмы в псевдоискровом разряде
593
Использование особенностей ударной ионизации в тонких полупроводниковых пленках для модуляции электромагнитного излучения в коротковолновой части СВЧ диапазона
591
Физический метод управления потоком в гиперзвуковом воздухозаборнике
590
Влияние процесса намагничивания в металлических многослойных пленках на спектр и затухание поверхностных акустических волн лява
588
Влияние эффекта поля на характеристики поверхностных акустических волн в структуре металл--диэлектрик--полупроводник на основе арсенида галлия
587
Обнаружение антиферромагнитной фазы в стеклах, легированных окислами переходных металлов, по ее магнитозависимому микроволновому поглощению
587
Быстрая фотолюминесценция импульсно-анодированного кремния
587
Изменение величины нейтронного потока при его взаимодействии с кристаллами K(H xD 1- x) 2PO 4 в окрестности TC
583
Подавление модуляционной неустойчивости при взаимодействии двухскоростного электронного потока с обратной электромагнитной волной
579
Воздействие СВЧ-плазмы с электронно-циклотронным резонансом на электрофизические свойства алмазоподобных углеродных пленок
574
О влиянии поверхностно активных веществ на закономерности развития неустойчивости заряженной поверхности жидкости
571
Исследование электрического разряда в воздухе с капиллярным электролитическим электродом
570
Возбуждение магнитостатических волн в ферромагнитной пленке, помещенной в неоднородное магнитное поле
563
Ток отражений --- третий вид тока в твердых телах
563
Исследование фуллеренсодержащих халькогенидных стеклообразных соединений
560
Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов
560
Пороговая интенсивность микроволнового излучения, вызывающего S-N переход тонкой ВТСП пленки
559
Технология изготовления и характеристики диэлектрических слоев тонкопленочных RC фильтров для джозефсоновских и одноэлектронных устройств
558
Микроструктура пленок германия, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках арсенида галлия
557
Седло-фокус в модели электрической активности сердца человека
557
Задача реконструкции математической модели применительно к электрокардиограмме
556
Конденсация аргона за звуковым соплом и диафрагмой
553
Влияние эффектов поступательной неравновесности на кинетику физико-химических превращений во фронте ударной волны
551
Влияние биографических SiO2-включений на электрофизические свойства кремния
550
Очищение воды от примесей методом направленной кристаллизации
548
Влияние индуцированных структурных фазовых переходов на тепловые свойства высокотемпературных сверхпроводников
546
Управление потоком вероятности в системе фазовой автоподстройки частоты
545
Стационарные нелинейные магнитоупругие волны в ферромагнетике кубической симметрии
545
Взаимодействие атомов кремния с поверхностью иридия под воздействием сильного электрического поля и нагрева
545
Диссипативные структуры и катодолюминесценция слоев GaAlAs, полученных мос-гидридным способом
544
Фоточувствительность структур на анодизированных слоях карбида кремния
542
Неустойчивости распределения тока по площади в кремниевом оже-транзисторе с туннельным моп-эмиттером
542
Особенности устройства пространства параметров двух связанных неавтономных неизохронных осцилляторов
541
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
540
О влиянии изовалентного легирования на рекомбинационно-стимулированные атомные процессы в полупроводниках A3B5
540
Деполяризация излучения в градиентном оптическом волноводе
539
Об использовании собственного синхротронного излучения для иллюминации катода фотоинжектора в циклическом лазере на свободных электронах
538
Компьютерное моделирование кристаллизации соли на подложке с помощью метода диффузионных потоков
537
Лазерное возбуждение оптоакустических сигналов в море, покрытом слоем льда
537
О нелинейных свойствах многоуровневой квадрупольной спин-системы
537
Стационарная нормальная зона в ограниченном одномерном сверхпроводнике
536
Автор
Организация
Статей
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С. -Петербург
6
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет
6
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет
6
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С. -Петербург
5
Дрижук А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Анищенко В.С.
Саратовский государственный университет
4
Зайцев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Сидоров В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Сидоров Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
4
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
4
Попов В.Л.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
3
Вихарев А.Л.
Институт прикладной физики РАН Н. Новгород
3
Меленевская Е.Ю.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Виноградова Л.В.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет
3
Барышников Ф.Ф.
ГП ОКБ ''Гранат'' Москва
3
Янсон Н.Б.
Саратовский государственный университет
3
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет
3
Гременок В.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН Москва
3
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Белых Т.А.
Уральский государственный технический университет
3
Трофимов В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
3
Згонник В.Н.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
3
Лошкарева Н.Н.
Институт физики металлов УрО РАН Екатеринбург
2
Поздняков О.Ф.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
2
Максимов И.Л.
Нижегородский государственный университет
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
2
Киндяк В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
2
Козлов В.А.
Московский институт стали и сплавов
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов УрО РАН Екатеринбург
2
Тропп Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
2
Редков Б.П.
Институт проблем машиноведения РАН Институт высокомолекулярных соединений РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
2
Максимов К.С.
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Максимов С.К.
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Иванов О.А.
Институт прикладной физики РАН Н. Новгород
2
Бурков В.Д.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербург
2
Владимиров Г.Г.
Институт физики Санкт-Петербургского государственного университета
2
Колыско А.Л.
Институт прикладной физики РАН Н. Новгород
2
Егоров Ф.А.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
2
Короза В.И.
Научно-исследовательский институт импульсной техники Москва
2
Капитонова Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербург
2
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
2
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
2
Смольский О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербург
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
37
Ярославский государственный университет
9
Симферопольский государственный университет
6
Пермский государственный университет
5
Институт физики металлов УрО РАН Екатеринбург
4
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН С.-Петербург
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
4
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
4
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
4
Харьковский государственный университет
4
Санкт-Петербургский государственный технический университет
4
Институт физической химии РАН Москва
3
Саратовский государственный университет
3
Институт радиотехники и электроники РАН Саратовский филиал
3
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва
3
Институт физики АН Азербайджана Баку
2
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Физический факультет
2
Институт физики полупроводников НАН Украины Киев
2
Институт прикладной физики РАН Н. Новгород
2
Уральский государственный технический университет Екатеринбург
2
Московский институт электронной техники --- Технический университет
2
Институт общей физики РАН Москва
2
ГП ОКБ ''Гранат'' Москва
2
Кабардино-Балкарская Государственная сельскохозяйственная академия Нальчик
2
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
2
Саратовский государственный университет кафедра радиофизики Лаборатория нелинейной динамики
2
Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова Ульяновск
2
Нижегородский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Государственный технический университет С.-Петербург
2
Институт физики полупроводников СО РАН Новосибирск
2
Институт электрофизики УрО РАН Екатеринбург
2
Институт проблем машиноведения РАН С.-Петербург
2
Научно-исследовательский институт импульсной техники Москва
2
Российский научный центр ''Курчатовский институт'' Москва
2
Институт физики микроструктур РАН Нижний Новгород
2
Институт радиотехники и электроники РАН Москва
2
Институт прикладной физики РАН Нижний Новгород
2
Институт теплофизики СО РАН Новосибирск
2
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
1
Уральский политехнический институт Екатеринбург
1
Университет Толидо США Институт физики НАН Украины Киев
1
Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики Арзамас-16
1
Институт электрофизики УрО РАН Институт физики металлов УрО РАН
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины
1
Центральный аэрогидродинамический институт Москва
1
Отдел теплофизики АН РУз Ташкент
1
С.-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme