Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1996, выпуск 3 » Статья стр. 37
<<<>>>
Физические свойства монокристаллов p--ZnGeP 2, полученных низкотемпературной кристаллизацией
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
PDF версия
  1. Рудь Ю.В. ФТП. 1994. Т. 28. С. 1105
  2. Budni P.A., Schunemann P.G., Knigths M.G., Pollak T.M., Chicklis I.P. OSA. Proc. Adv. Sol. St. Lasers. 1992. V. 13. P. 380
  3. Shay J.L. @ J.H.Wernick Ternary Chalcopyrite Semiconductors. Pergamon Press. New York. 1976
  4. Бабонас Г., Гейнрих А., Кордс В., Монеке И., Шилейка А. Литов. физ. сб. 1990. Т. 20. С. 619
  5. Рудь Ю.В., Мальцева И.А. ФТТ. 1977. Т. 19. С. 870
  6. Averkieva, Grugoreva V.S., Maltseva I.A., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. Phys. Status Solid (a). 1977. V. 39. P. 453
  7. McGrae J.E., Jr., Gregg M.R., Hengehold R.L., Yeo Y.K., Ostdiek P.H., Ohmer M.C., Schunemann P.G., Pollak T.M. J. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 3142
  8. Григорьева В.С., Лебедев А.А., Овезов K., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Яковенко А.А. ФТП. 1975. V. 9. P. 1605

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme