"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Неустойчивости распределения тока по площади в кремниевом оже-транзисторе с туннельным моп-эмиттером
Белов С.В.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

  1. Simmons J.C., Taylor G.W. Solid-State Electron. 1986. V. 29. N 3. P. 287--303
  2. Moravvej-Farshi M.K., Green M.A. IEEE. Electron Device Lett. 1986. V. EDL-7. P. 513--515
  3. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. Киев: Техника, 1975. 360 с
  4. Lai S.K., Dressendorfer P.V. et al. Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. N 1. P. 41--44
  5. Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 3. С. 50--55
  6. Остроумова Е.В., Рогачев А.А., ФТП. 1994. Т. 28. В. 8. С. 1411--1423
  7. Vexler M.I. IEEE Trans. on Electr. Dev. 1995. V. ED-42. N 4. P. 656--661
  8. Атабеков Г.И. Теоретические основы электротехники. Ч. 1 (гл. 11). М.--Л.: Энергия, 1966. 320 с
  9. Гузев А.А., Курышев Г.Л., Синица С.П. ФТП. 1970. Т. 4. В. 11. С. 2043--2047

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.