Диссипативные структуры и катодолюминесценция слоев GaAlAs, полученных мос-гидридным способом
Ильичев Э.А.1, Максимов К.С.1, Максимов С.К.1, Полторацкий Э.А.1, Суслов Д.Н.1
1Московский институт электронной техники --- Технический университет
Поступила в редакцию: 6 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
- Максимов С.К. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 19. С. 64--67
- Максимов С.К. Кристаллография. 1996. (в печати)
- Амелинкс С. Прямые методы наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. 440 с
- Mahajan S. Materials Sci. \& Engineering. 1995. V. 30. N 2--3. P. 187--199
- Ильичев Э.А., Максимов С.К., Нагдаев Е.Н. и др. ЖТФ. 1986. Т. 56. С. 2245--2247
- Ильичев Э.А., Масловский В.М., Полторацкий Э.А. ФТП. 1986. Т. 20. С. 594--602
- Чернавская О.Д., Чернавский Д.С., Сурис Р.А. Дефекты структуры в полупроводниках. Методы их исследования и влияние на свойства кристаллов и пленок. М.: МИЭТ, 1982. С. 3--12
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук