"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Роль эффектривности формирования сульфидного покрытия в электронной пассивации поверхности GaAs
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S) в различных растворителях (вода, спирты): изменение раствора приводило к изменению эффективности химических процессов на поверхности. Обнаружен химико-кинетический эффект: возрастание эффективности электронной пассивации поверхности GaAs при увеличении константы скорости реакции формирования сульфидного покрытия.
  1. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 1. P. 33--35
  2. Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 1. С. 46--50
  3. Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. J. Vac. Sci. \& Technol. B. 1996. V. 14. N 4. (will be published)
  4. Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. Mater. Sci. \& Engineering B. (will be published)
  5. Liu D., Zhang T., LaRue R.A., Harris J.S., Sigmon T.W. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 12. P. 1059--1061
  6. Morrison S.R. Surface Science. 1975. V. 50. P. 329--342
  7. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Novikov E.B., Tsarenkov B.V. J. Vac. Sci. \& Technol. B. 1993. V. 11. N 1. P. 10--14

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.