Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль эффектривности формирования сульфидного покрытия в электронной пассивации поверхности GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S) в различных растворителях (вода, спирты): изменение раствора приводило к изменению эффективности химических процессов на поверхности. Обнаружен химико-кинетический эффект: возрастание эффективности электронной пассивации поверхности GaAs при увеличении константы скорости реакции формирования сульфидного покрытия.
- Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 1. P. 33--35
- Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 1. С. 46--50
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. J. Vac. Sci. \& Technol. B. 1996. V. 14. N 4. (will be published)
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. Mater. Sci. \& Engineering B. (will be published)
- Liu D., Zhang T., LaRue R.A., Harris J.S., Sigmon T.W. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 12. P. 1059--1061
- Morrison S.R. Surface Science. 1975. V. 50. P. 329--342
- Bessolov V.N., Lebedev M.V., Novikov E.B., Tsarenkov B.V. J. Vac. Sci. \& Technol. B. 1993. V. 11. N 1. P. 10--14
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
