Возможная модель формирования диссипативных структур при эпитаксиальной кристаллизации соединений A IIIB V
Максимов К.С.1, Максимов С.К.1
1Московский институт электронной техники --- Технический университет
Поступила в редакцию: 6 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
- Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных процессах. М.: Мир, 1979. 512 с
- Максимов С.К., Нагдаев Е.Н. ДАН СССР. 1979. Т. 245. С. 1369--1372
- Chevalier J.-P., Portier R. Proc. Inst. Phys. Conf. 1991. V. 117. P. 453--462
- Ilegems M., Panish M.B. J. Phys. Chem. Sol. 1974. V. 35. P. 409--411
- Bublik V.T., Leikin B.N. Phys. stat. soil. (a). 1978. V. 46. P. 365--372
- Ferry D.K. Semiconductors. N. Y., Macmillan, 1991. 608 p
- Ипатова И.П., Малышкин В.Г., Маслов А.Ю., Щукин В.А. ЖТФ. 1993. Т. 27. С. 285--298
- Ueda O., Nakata Y., Fuji T. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. P. 705--708
- Mahajan S. Materials Sc. \& Engineering. 1995. V. 30. N 2/3. P. 187--199
- Максимов С.К. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 19. С. 64--67
- Максимов С.К. Кристаллография. 1996. (в печати)
- Максимов С.К., Максимов К.С. Поверхность. Физика, химия, механика. 1996. (в печати)
- Чернов А.А., Рузайкин М.П. ДАН СССР. 1981. Т. 258. С. 82--85
- Чернавская О.Д., Чернавский Д.С., Сурис Р.А. Дефекты структуры в полупроводниках. Методы их исследования и влияние на свойства кристаллов и пленок. М.: МИЭТ, 1982. С. 3--12
- Максимов С.К. Кристаллография. 1994. Т. 39. С. 315--321
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук