Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский академический университет РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
9
Лойко В.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
7
Зырянов В.Я.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
7
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Марков А.Б.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
5
Zhang Xu
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Евстрапов А.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Патров М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Каманина Н.В.
Государственный оптический институт им. C.И. Вавилова, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный технический университет "ЛЭТИ" Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики "ИТМО"
4
Озур Г.Е.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Петров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Оскомов К.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Назаренко М.В.
Санкт-Петербургский государственный университет
4
Петров Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Прядко Е.Л.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Гардымова А.П.
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
4
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Сахаров Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тересов А.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Стародубов А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Толстяков С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Хромов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шулов В.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Яшин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубинов А.Е.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
4
Левинштейн М.Е.
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
4
Буланин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Фрязинский филиал, Фрязино, Моск. обл.)
4
Palmour J.W.
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
4
Варфоломеев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Ротштейн В.П.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Грехов И.В.
Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
4
Agarwal A.K.
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
4
Гусев В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Киреева И.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Иванов Ю.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Чумляков Ю.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Колубаева Ю.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Курскиев Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Mei X.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Минаев В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Найден Е.П.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Кульков С.Н.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Кудоярова В.Х.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Ковалев Н.Ф.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Буякова С.П.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук