"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский академический университет РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Предложена новая теоретическая модель стационарного роста и кристаллической структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) и исследованы ее физические следствия. Показано, что условие стационарного роста ННК по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК) Небольсина-Щетинина, требующее несмачивания каплей боковой поверхности ННК, эквивалентно условию Гласа нуклеации на тройной линии при моноцентрическом росте ННК. Получен энергетический критерий стационарного роста ННК в общем случае фасетированной боковой поверхности. Определены эффективные поверхностные энергии, определяющие активационный барьер нуклеации зародышей на вершине ННК. На основе предложенной модели исследован вопрос о кристаллической структуре III-V ННК (кубическая фаза типа цинковой обманки или гексагональная вюрцитная). В частности, показано, что уменьшение поверхностной энергии катализатора должно приводить к преимущественному формированию кубической фазы, что подтверждается экспериментами по ПЖК-росту GaAs-ННК с катализаторами Au и Ga.
  1. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 1585
  2. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  3. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E. et al. // Phys. Rev. B 2009. V. 79. P. 205316
  4. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 587
  5. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E. et al. // Phys. Rev. E. 2008. V. 77. P. 031606
  6. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A. et al. // Surf. Sci. 2007. V. 601. P. 4395
  7. Гиваргизов Е.И. // Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977
  8. Небольсин В.А., Щетинина А.А. // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. N 9. С. 1050
  9. Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 146101
  10. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. P. 235301
  11. Johansson J., Karlsson L.S., Dick K.A. et al. // Cryst. Growth and Design. 2009. V. 9. P. 766
  12. Persson A.I., Larsson M.W., Stengstrom et al. // Nature Mater. 2004. V. 3. P. 677
  13. Moewe M., Chuang L.C., Dubrovskii V.G., Chang-Hasnain C. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 044313
  14. Dick K.A., Caroff P., Bolinsson J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2010. V. 25. P. 024009
  15. Shtrikman H., Popovitz-Biro R., Kretinin A., Heiblum M. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 215
  16. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. P. 066940
  17. Joyce H.J., Wong-Leung J., Gao O. et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 908
  18. Akiyama T., Sano K., Nakamura K., Ito T. // Jpn. Appl. Phys. 2006. V. 45. P. L275
  19. Leitsmann R., Bechstedt B. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 063528
  20. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 035414
  21. Huang H., Ren X., Ye X. et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 64
  22. Ren X., Huang H., Dubrovskii V.G. et al. // Semicond. Sci. Technol., в печати
  23. Ross F.M., Tersoff J., Reuter M.C. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 146104
  24. Сибирёв Н.В., Тимофеева М.А., Большаков А.Д. и др. // ФТТ. 2010. T. 52. C. 1428
  25. Cirlin G.E., Dubrovskkii V.G., Samsonenko Yu.B. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 035302

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.