Вышедшие номера
Отказы мощных полевых транзисторов под действием протонов
Иванов Н.А.1,2, Митин Е.В.1,2, Пашук В.В.1,2, Тверской М.Г.1,2
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2ОАО "РНИИ Электронстандарт", Санкт-Петербург
Email: ivanovna@pnpi.spb.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на ряд типовых мощных полевых транзисторов, изготовленных по микроэлектронной технологии. Показано, что под действием протонов в этих изделиях происходит пробой подзатворного окисла, приводящий к "катастрофическому отказу" прибора. Предложена модель возникновения этих отказов, основанная на образовании в чувствительной области транзисторов быстрых остаточных ядер в результате ядерных реакций протонов с ядрами атомов полупроводникового материала.