"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Отказы мощных полевых транзисторов под действием протонов
Иванов Н.А.1,2, Митин Е.В.1,2, Пашук В.В.1,2, Тверской М.Г.1,2
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2ОАО "РНИИ Электронстандарт", Санкт-Петербург
Email: ivanovna@pnpi.spb.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на ряд типовых мощных полевых транзисторов, изготовленных по микроэлектронной технологии. Показано, что под действием протонов в этих изделиях происходит пробой подзатворного окисла, приводящий к "катастрофическому отказу" прибора. Предложена модель возникновения этих отказов, основанная на образовании в чувствительной области транзисторов быстрых остаточных ядер в результате ядерных реакций протонов с ядрами атомов полупроводникового материала.
  1. Titus J.L., Wheatley C.F., Burton D.J. et al. // IEEE Trans. Sci. Dec. 1995. V. 42 (6). P. 1928--1934
  2. Wheatley C.F., Titus J.L., Burton D.I. // IEEE Transactions. NS. 1994. V. 41. N 6. P. 2152--2159
  3. Wrobel T.F. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V. NS-34 (6). P. 1262--1268
  4. Pikel J.C., Blandford J.T., Waskiewicz A.E., Strahan V. // IEEE Trans. Nucl. Sci. Dec. 1985. V. NS-32 (6). P. 4176--4179
  5. Ермаков К.Н., Иванов Н.А. Маркелов В.В. и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Науч.-техн. сб. 2006. В. 3--4. C. 54--57
  6. Titus J.L., Wheatley C.F., Burton D.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. Dec. 1995. V. 42 (6). P. 1928--1934
  7. Coss J.R., Swift G.M., Selva L.E. et al. // IEEE Radiation Effects Data Workshop Record. ISBN: 0--7803--5109--6. 1998. P. 15--38

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.