Иванов Н.А.1,2, Митин Е.В.1,2, Пашук В.В.1,2, Тверской М.Г.1,2
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2ОАО "РНИИ Электронстандарт", Санкт-Петербург
Email: ivanovna@pnpi.spb.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на ряд типовых мощных полевых транзисторов, изготовленных по микроэлектронной технологии. Показано, что под действием протонов в этих изделиях происходит пробой подзатворного окисла, приводящий к "катастрофическому отказу" прибора. Предложена модель возникновения этих отказов, основанная на образовании в чувствительной области транзисторов быстрых остаточных ядер в результате ядерных реакций протонов с ядрами атомов полупроводникового материала.
- Titus J.L., Wheatley C.F., Burton D.J. et al. // IEEE Trans. Sci. Dec. 1995. V. 42 (6). P. 1928--1934
- Wheatley C.F., Titus J.L., Burton D.I. // IEEE Transactions. NS. 1994. V. 41. N 6. P. 2152--2159
- Wrobel T.F. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V. NS-34 (6). P. 1262--1268
- Pikel J.C., Blandford J.T., Waskiewicz A.E., Strahan V. // IEEE Trans. Nucl. Sci. Dec. 1985. V. NS-32 (6). P. 4176--4179
- Ермаков К.Н., Иванов Н.А. Маркелов В.В. и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Науч.-техн. сб. 2006. В. 3--4. C. 54--57
- Titus J.L., Wheatley C.F., Burton D.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. Dec. 1995. V. 42 (6). P. 1928--1934
- Coss J.R., Swift G.M., Selva L.E. et al. // IEEE Radiation Effects Data Workshop Record. ISBN: 0--7803--5109--6. 1998. P. 15--38
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.