Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs_0.94Sb_0.06/ InAs_0.88Sb_0.12/InAsSbP/InAs с диаметрами фоточувствительной площадки 0.3 mm, работающие при комнатной температуре в среднем ИК-диапазоне спектра 2.5-4.9 mum. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (lambda_max=4.0-4.6 mum), достигающая значений 0.6-0.8 A/W, значение плотности обратных темновых токов (1.3-7.5)·10^-2 A/cm² при напряжении обратного смещения 0.2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 700-800 Omega. По нашим оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (5-8)· 10⁸cm· Hz^1/2· W^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.