Вышедшие номера
Влияние ультрамалых доз ионизирующего излучения на диэлектрические свойства кристаллов CdZnTe с аномально высокой поляризуемостью
Комарь В.К.1, Сулима С.В.1, Чугай О.Н.1, Абашин С.Л.1, Николов О.Т.1, Олейник С.В.1, Пузиков В.М.1, Терзин И.С.1, Яцина Ю.А.1
1Харьковский Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского, Харьков, Украина Харьковский НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, Харьков, Украина
Email: komar@isc.kharkov.ua
Поступила в редакцию: 3 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Обнаружено влияние ультрамалых экспозиционных доз (10-45 R) гамма-излучения на обе части комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe в низкочастотной области. Показано, что в основе этого эффекта лежат изменения системы собственных дефектов структуры, связанные с отклонением состава кристалла от стехиометрического, а также крупномасштабные флуктуации электрического потенциала ростовой природы.