"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12580
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
13

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1995 год:
Статья
Просмотров
Сложная динамика протяженных потоков заряженных частиц в скрещенных полях
16
Эмиссия и фрагментация кластеров C- n и Cs mC- n при бомбардировке фуллерита ионами цезия
15
Особенности взаимодействия атомов иттербия с гранью Si (111)( 7x7)
15
Измерение послойных профилей азота, имплантированного в ниобий, на основе спектроскопии отраженных электронов
14
Фокусировка волн типа шепчущей галереи в квазиоптическом полусферическом диэлектрическом резонаторе
14
Исследование пространственного спектра нижнегибридных волн методом усиленного рассеяния СВЧ излучения с частотной модуляцией
14
Применение триэтилстибина для легирования эпитаксиальных слоев кремния
14
Распределение электромагнитного поля вблизи фокуса короткофокусной линзы
13
Особенности теплового отклика пульпы при лазерной обработке эмали и дентина
13
Слиппинг-неустойчивость релятивистского электронного пучка
13
Неаддитивность степени отрицательной ионизации при рассеянии молекул
13
Генерация трития при взаимодействии плотных потоков плазмы дейтерия с поверхностью металлов
13
Эффект фазовой модуляции при взаимодействии тонкой пленки двухуровневых атомов с короткими импульсами света
12
Аннигиляция позитронов во фрактальных средах
12
Бистабильный кислородосодержащий междоузельный комплекс в кремнии
12
К вопросу о связи зеленой электролюминесценции 6H SiC p- n-структур с наличием в них кристаллических влючений политипа 3C
12
Безопорная селектограмма с записью в толстослойной светочувствительной среде
12
Теплоемкость соединений на основе ванадатов редкоземельных элементов
12
Механизм формирования функции распределения электронов в плазменном ускорителе с замкнутым дрейфом электронов
12
Абсолютные измерения радиального распределения плотности нейтрального водорода в плазме токамака ФТ-1 методом лазерной фотоионизации
12
Статья
Просмотров
Преобразование тепла в работу с помощью термически неоднородных систем
1882
Фокусировка волн типа шепчущей галереи в квазиоптическом полусферическом диэлектрическом резонаторе
1258
Когерентные процессы в системе двух связанных релятивистских магнетронов
1130
Сульфидная пассивация GaAs в растворе на основе изопропилового спирта
1076
Низковольтный разряд в цезий-водородном полом катоде
1061
Диссипативная неустойчивость при разрушении проводящих материалов с током
1038
Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия
1031
Деполяризация излучения суперфлуоресцентного волоконного источника в волокне с эллиптической жилой
1030
К вопросу о самоорганизации белка
1025
О влиянии электрического смещения B 4C-лимитера на поступление бора в плазму торсатрона ''Ураган-3М''
1012
Зависимость скорости акустических волн в магнитострикционном поликристаллическом феррите от величины внешнего магнитного поля при наличии низкочастотного подмагничивания
1012
Влияние генерации поверхностных состояний межфазной границы Si--SiO 2 на ток утечки МОП-транзистора
1007
Эмиссия и фрагментация кластеров C- n и Cs mC- n при бомбардировке фуллерита ионами цезия
1003
Стационарные вольт-амперные характеристики структур металл--кремневодородная пленка--кремний
1003
Вихри пластической дисторсии в твердых телах при интенсивных внешних воздействиях
999
Анализ уравнения баланса мощностей процессов при движении ансамбля электронов в однородных электрических полях в гелии
997
К вопросу о сдвиговой деструкции сигнала при использовании двумерного преобразования Уолша--Адамара, реализованного на многоэлементном фотоприемнике
987
Влияние силы Кориолиса на конвекцию жидкости в условиях невесомости при наличии угловых и линейных колебаний орбитальной станции около ее центра масс
986
Скорости напыления пленок нитрида титана в магнетронных установках реактивного распыления
982
Полосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.55 мкм
980
О структуре краевого поглощения в тонких лазерноосажденных пленках CuInTe2
978
Дипольные переходы в системе Пайерлса
978
Фотопроводимость поликристаллических алмазных пленок под действием рентгеновского CuKalpha излучения
978
Визуальное наблюдение агломератов в объеме магнитной жидкости
977
Изготовление контактов n-=sup=-++-=/sup=-GaAs--Nb и их электрофизические свойства при низких температурах
977
Проявление эффекта дальнодействия в полупроводниках при облучении альфа-частицами
976
Влияние радиационного облучения на акустические характеристики кристаллов диглициннитрата
975
Ориентированные пленки SrTiO 3 на сапфире с подслоем диоксида церия
968
Ускорение заряженных частиц в скрещенных периодически реверсивных электрическом и магнитном полях
967
О селекции поперечных мод в InGaAsP лазерах с диэлектрическими покрытиями зеркал
964
О массопереносе, обусловленном протеканием сверхпроводящего тока
963
Влияние ориентации спина нейтрона на маятниковую картину при дифракции в кристалле без центра симметрии
963
Кристаллический пассивный затвор для йодного лазера
962
Поляризационные характеристики суперфлуоресцентного источника излучения на основе волокна, легированного эрбием
962
Возрастание уровня катастрофической оптической деградации InGaAs/AlGaAs (977 нм) лазерных диодов после сульфидирования в растворах на основе изопропилового спирта
960
Сохранение тангенциальной составляющей импульса электронов при фотоэмиссии арсенида галлия с отрицательным сродством
950
О механизме модификации поверхности в сканирующем туннельном микроскопе под воздействием импульса напряжения
950
Возбуждение упругих волн в титановых пластинах при импульсном лазерном воздействии
949
О возможности поиска электрического дипольного момента нейтрона по деполяризации при дифракции в кристалле без центра симметрии
945
Исследование интегрально-оптических элементов связи на базе скошенных волноводов
941
О природе вязко-хрупкого перехода
940
Особенности пред- и постпереходных состояний при плавлении меди
940
Фотостимуляция диффузии атомов щелочных металлов в приповерхностных слоях золота
939
Нагрев и разрушение поверхностных слоев контактирующих металлов при трении
938
YBCO --- тонкие пленки большого размера для СВЧ-применений
937
Сверхизлучение сгустка электронов-осцилляторов, движущегося в брэгговской решетке
936
Плазменная конфигурация ''Галатея--Пояс''. первые результаты экспериментальных исследований
932
Каскадный генератор с хаотической динамикой
932
Влияние градиента деформации между слоями сверхрешеток на динамические эффекты рентгеновской дифракции
931
Трехэлектродный эксимерный лазер с управляющим средним электродом
928
Автор
Организация
Статей
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Попов В.Л.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
4
Денисюк Ю.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
4
Ильясов И.К.
Институт точной механики и оптики Санкт-Петербург
3
Юшин Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Приходько К.В.
Институт точной механики и оптики Санкт-Петербург
3
Алексеев Э.И.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Канаев Г.Г.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Базаров Е.Н.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Новиков С.С.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
3
Литвинов Р.В.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Герасимов Г.А.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Сулакшин А.С.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Питченко С.Н.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Губин В.П.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Сулакшин С.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Котов О.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Решетько А.В.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН
3
Филипенко Н.М.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Приходько А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шандаров С.М.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Саков Д.М.
Институт физической химии РАН
3
Владимиров Г.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет НИИ физики
3
Старостин Н.И.
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Якимов Д.В.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Битюцкая Л.А.
Воронежский государственный университет
3
Юферев В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зайнабидинов С.З.
Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев В.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Волков В.В.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Машкина Е.С.
Воронежский государственный университет
3
Каргин Ю.Ф.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Шершаков Е.П.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Скрипник А.В.
Институт точной механики и оптики Санкт-Петербург Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова Санкт-Петербург
3
Пашковский А.Б.
Научно-исследовательский интститут ''ИСТОК'' Фрязино
3
Канская Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дудин С.В.
Харьковский государственный университет
2
Малинин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Григорьев О.А.
Ярославский государственный университет
2
Верхотуров С.В.
Институт электроники АН Узбекистана Ташкент
2
Саунин Е.И.
Институт физической химии РАН Москва
2
Дубов Д.Ю.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
63
Санкт-Петербургский государственный технический университет
16
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
6
Институт точной механики и оптики Санкт-Петербург
5
Ярославский государственный университет
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт общей физики РАН Москва
3
Московский институт электронной техники
3
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязино
3
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Ташкентский государственный университет
3
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Воронежский государственный университет
3
Московский педагогический университет
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики полупроводников Киев, Украина
2
Харьковский государственный университет
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Институт физики твердого тела и полупроводников АНБ Минск
2
Технический университет Челябинск
2
Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники
2
Государственный институт точной механики и оптики Санкт-Петербург
2
Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Институт ядерной физики АН РУз Ташкент
2
Институт микроэлектроники РАН Ярославль
2
Учебно-научно-производственный лазерный центр Института точной механики и оптики Санкт-Петербург
2
Научно-исследовательский технологический институт Рязань
2
Институт электроники АН РУ Ташкент
2
Московский радиотехнический институт РАН
2
ВНЦ ''ГОИ им. С.И. Вавилова'' Санкт-Петербург
2
Сумский государственный университет
2
Уральский государственный технический университет
2
Московский инженерно-физический институт
2
Ульяновский государственный технический университет
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Ереванский государственный университет
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Институт физики АН Эстонии Тарту
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme