Обнаружение фоточувствительности гетероконтактов полупроводник/кожа человека
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Шпунт В.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
- Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М., 1983. 312 с
- Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники. Фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. М.: Мир, 1988. 344 с
- Шпунт В.Х., Рудь Ю.В., Цэндин К.Д. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 13. С. 41--45
- Шпунт В.Х., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 20. С. 37--39
- Шпунт В.Х., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 13. С. 50--55
- Шпунт В.Х., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 13. С. 56--59
- Шпунт В.Х., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 16. С. 73--78
- Шпунт В.Х., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 19. С. 65--69
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.\commes Справочник. М.: Наука, 1978. 339 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.