Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О возможности легирования эпитаксиальных слоев оксида цинка, полученных методом химического транспорта в процессе выращивания
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 22 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
- Major S., Banerjee A., Chopra K. Thin Solid Films. 1983. V. 108. P. 333--340
- Minami T., Nanto H., Takata Sh. Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. N 5. L280--L282
- Jin Z., Hamberg J., Grandvist C. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 10. P. 5117--5131
- Schropp R., Madan A. J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 5. P. 2027--2031
- Igasaki Y., Saito H. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 7. P. 3613--3619
- Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Багамадова А.М. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1987. В. 11. С. 1928--1930
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
