"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О возможности легирования эпитаксиальных слоев оксида цинка, полученных методом химического транспорта в процессе выращивания
Атаев Б.М.1, Багамадова А.М.1, Джабраилов А.М.1, Мамедов В.В.1, Рабаданов Р.А.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 22 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

  1. Major S., Banerjee A., Chopra K. Thin Solid Films. 1983. V. 108. P. 333--340
  2. Minami T., Nanto H., Takata Sh. Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. N 5. L280--L282
  3. Jin Z., Hamberg J., Grandvist C. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 10. P. 5117--5131
  4. Schropp R., Madan A. J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 5. P. 2027--2031
  5. Igasaki Y., Saito H. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 7. P. 3613--3619
  6. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Багамадова А.М. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1987. В. 11. С. 1928--1930

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.