Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия
Михайлов А.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
- Барыбин А.А. и др. Микроэлектроника. 1979. Т. 8. В. 1. С. 3--19
- Иванченко В.А., Михайлов А.И. Сб. тезисов докл. Всесоюзн. совещания "Электроника: преобразователи информации". М.-Н.Новгород, 1991. С. 12--14
- Барыбин А.А. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. 288 с
- Кумабе К., Кояма Д. Дэнси цусин гаккай ромбунси. 1974. Т. 57. N 6. С. 179--186
- Kumabe K., Kanbe H. Int. J. Electronics, 1985. V. 58. N 4. P. 587--611
- Ress H.D. Solid State Com. 1969. V. 7. N 2. P. 267--269
- Стариков Е., Шикторов П. Лит. физ. сб. 1992. Т. 32. N 4. С. 471--519
- Прохоров Э.Д., Белецкий Н.И. Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов. Харьков: Вища шк. 1982. 135 с
- Диффузия горячих электронов / В. Барейкис, А. Матуленис, Ю. Пожела и др. Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1981. 212 с
- Brennan K., Hess K. Sol. St. El. 1984. V. 27. N 4. P. 347--357
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. 456 с
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 632 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.