Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние генерации поверхностных состояний межфазной границы Si--SiO 2 на ток утечки МОП-транзистора
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 21 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
- Winokur P.S., Schwank J.R., Mcwhorter P.J., Dresseendorfer P.V., Turpin D.C. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. NS-31. N 6. P. 1453--1460
- Hughes H.L. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1969. V. NS. 16. N 6. P. 195--202
- Faggin F., Klein T. Solid-State Electronics. 1970. V. B. N 8. P. 1125--1144
- Урицкий В.Я., Романов О.В., Яфясов А.М. ФТП. 1984. Т. 18. В. 3. С. 393--397
- Урицкий В.Я. ФТП. 1985. Т. 19. В. 4. С. 744--747
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
