"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние генерации поверхностных состояний межфазной границы Si--SiO 2 на ток утечки МОП-транзистора
Атамуратов А.Э.1, Далиев Х.С.1, Зайнабидинов С.З.1, Юсупов А.Ю.1, Адинаев К.М.1
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Поступила в редакцию: 21 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

  1. Winokur P.S., Schwank J.R., Mcwhorter P.J., Dresseendorfer P.V., Turpin D.C. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. NS-31. N 6. P. 1453--1460
  2. Hughes H.L. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1969. V. NS. 16. N 6. P. 195--202
  3. Faggin F., Klein T. Solid-State Electronics. 1970. V. B. N 8. P. 1125--1144
  4. Урицкий В.Я., Романов О.В., Яфясов А.М. ФТП. 1984. Т. 18. В. 3. С. 393--397
  5. Урицкий В.Я. ФТП. 1985. Т. 19. В. 4. С. 744--747

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.