"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
11948
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
67

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2006 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
7
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
7
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
6
Бобашев С.В.
Университет Джона Гопкинса, Лаурел, Мэриленд, США
6
Погребняк А.Д.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Гриценко Б.П.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Дуванов С.М.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Погребняк Н.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Kылышканов М.К.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Понарядов В.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Павлов А.Н.
Тихоокеанский океанологический институт ДВО РАН, Владивосток
4
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Косяченко Л.А.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Склярчук В.М.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Менде Н.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Маслянчук О.Л.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Грушко Е.В.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Снеткова Е.В.
НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу, Китай
4
Гнатюк В.А.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Aoki T.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Hatanaka Y.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Кузнецов А.П.
Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН
3
Морозов А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Бугрова А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Куперштох А.Л.
Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск
3
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванченко М.В.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Янг З.
НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу, Китай
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
2
Скакун В.С.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Нестеров С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.И.
ЗАО НПО "ЛИТ", Москва
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савилов А.В.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Кудрявцев В.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Шабанов В.Ф.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Козак М.И.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Сухоруков Ю.П.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Белевцов Л.В.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
2
Борисенко Е.А.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Буланов А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
2
Бакшт Е.Х.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
2
Портной Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
36
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
17
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
8
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
6
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
5
Ульяновский государственный университет
5
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
5
Воронежский государственный университет
4
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
4
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
4
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
3
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
3
Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск
3
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва
3
Воронежский государственный технический университет
3
Ужгородский национальный университет, Украина
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
3
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
2
ФГУП "Российский федеральный ядерный центр --- ВНИИ экспериментальной физики"
2
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
2
Институт теплофизики экстремальных состояний объединенного института высоких температур РАН, Москва
2
Петрозаводский государственный университет
2
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Волгоградский государственный педагогический университет
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Украина
2
Белорусский национальный технический университет, Минск
2
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
2
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
2
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
2
Бийский педагогический государственный университет им. В.М. Шукшина
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
2
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Тюменский государственный университет
2
Институт машиноведения РАН (Нижегородский филиал)
1
Белорусский государственный университет, Минск
1
Хабаровский государственный технический университет
1
ЗАО НПО "ЛИТ", Москва
1
Московский физико-технический институт, Долгопрудный
1
Центр оптоэлектроники Института прикладной физики АН Республики Молдова
1
Саратовский государственный технический университет, ООО "Синтез", Саратов
1
Институт физики НАН Украины, Киев
1
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик Северо-Кавказский горно-металлургический институт (ГТУ), Владикавказ
1
Научный центр волновых исследований Института общей физики РАН им. А.М. Прохорова, Москва
1
Конструкторско-технологический институт геофизического и экологического приборостроения СО РАН, Новосибирск
1
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Технический университет Брно, Чехия
1