Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
7
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
7
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
6
Бобашев С.В.
Университет Джона Гопкинса, Лаурел, Мэриленд, США
6
Погребняк А.Д.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Гриценко Б.П.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Дуванов С.М.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Погребняк Н.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Kылышканов М.К.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Понарядов В.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Павлов А.Н.
Тихоокеанский океанологический институт ДВО РАН, Владивосток
4
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Косяченко Л.А.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Склярчук В.М.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Менде Н.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Маслянчук О.Л.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Грушко Е.В.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Снеткова Е.В.
НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу, Китай
4
Гнатюк В.А.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Aoki T.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
4
Hatanaka Y.
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
4
Кузнецов А.П.
Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН
3
Морозов А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Бугрова А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Куперштох А.Л.
Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск
3
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванченко М.В.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Янг З.
НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу, Китай
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
2
Скакун В.С.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Нестеров С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.И.
ЗАО НПО "ЛИТ", Москва
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савилов А.В.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Кудрявцев В.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Шабанов В.Ф.
Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Козак М.И.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Сухоруков Ю.П.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Белевцов Л.В.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
2
Борисенко Е.А.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Буланов А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
2
Бакшт Е.Х.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
2
Портной Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук