Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
6
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Kылышканов М.К.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Понарядов В.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Короновский А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
5
Погребняк А.Д.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Гриценко Б.П.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Дуванов С.М.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Погребняк Н.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Косяченко Л.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Склярчук В.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Павлов А.Н.
Тихоокеанский океанологический институт ДВО РАН, Владивосток
4
Маслянчук О.Л.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Грушко Е.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Снеткова Е.В.
НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу, Китай
4
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гнатюк В.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Менде Н.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Aoki T.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Hatanaka Y.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Ветров С.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Камаев Г.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Морозов А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Александров Е.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шабанов А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Бугрова А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Балабас М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Зырянов В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Боднарь И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дмитриев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шабанов В.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Доватор Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куперштох А.Л.
Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карузин М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулясов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пазгалев А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Серебров А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гуняков В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Герасимов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук