"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Генерация трехмикронного излучения на кристаллах YAG : Er при резонансном возбуждении ионов активатора в нижний лазерный уровень
Данилов В.П.1, Денкер Б.И.1, Жеков В.И.1, Мурин Д.И.1, Мурина Т.М.1, Сверчков С.В.1, Студеникин М.И.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: danilov@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Импульсный лазер на фосфатном стекле, активированном ионами Cr3+- Yb3+- Er3+ (lambda=1.54 mum), использован для накачки кристаллов Y3Al5O12 : Er3+ в нижний лазерный уровень трехмикронного перехода 4I11/2-> 4I13/2 иона Er3+ (lambda=2.94 mum). При энергии импульса накачки Eexc.=200 mJ эффективность (КПД) трехмикронной генерации составила 20%. Дифференциальный КПД Er : YAG-лазера при резонансной накачке в нижний лазерный уровень составил 26%. PACS: 42.55.Sa
  1. Жеков В.И., Мурина Т.М., Прохоров А.М. и др. // Квантовая электроника. 1986. Т. 13. N 2. С. 419--422
  2. Багдасаров Х.С., Жеков В.И., Лобачев В.А. и др. // Труды ИОФАН. М.: Наука, 1989. Т. 19. С. 5--68
  3. Багдасаров Х.С., Данилов В.П., Жеков В.И. и др. // Квантовая электроника. 1992. Т. 19. N 4. С. 376--378
  4. Pollack S.A., Chang D.B. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 6. P. 2885--2893
  5. Dinerman B.K., Moulton P.F. // Opt. Lett. 1994. V. 19. N 15. P. 1143--1145
  6. Жеков В.И., Лобачев В.А., Мурина Т.М. и др. // Квантовая электроника. 1989. Т. 16. N 6. С. 1138--1140
  7. Денкер Б.И., Максимова Г.В., Осико В.В. и др. // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. N 9. С. 1063--1065
  8. Prokhorov A.M., Zhekov V.I., Murina T.M. et al. // Laser Physics. 1993. V. 3. N 1. P. 79--83

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.