Вышедшие номера
Зависимость скорости ионного распыления от изменения электронной работы выхода, вызванного освещением
Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1, Жуков А.Г.1, Сердобинцев А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Поликристаллические полупроводниковые фотопроводящие пленки CdS- PbS, имеющие гетерофазную природу, исследовались методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Рассматриваются результаты ВИМС-измерений указанных пленок, полученные при различных освещенностях мишеней. Предлагаются теоретическое обоснование и аналитическое описание полученных зависимостей относительного выхода положительных вторичных ионов от изменения электронной работы выхода, вызванного освещением. PACS: 62.82.-d
  1. Олейник Г.С., Мизецкий П.А., Низкова А. и др. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1983. Т. 19. N 11. С. 1799--1801
  2. Патент 845685 РФ, МКИ Н 01 L 21/30/. А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина (РФ). N 2880165/18--25. Заявлено 07.02.80. Опубл. 01.07.93. Бюл. N 25
  3. Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. N 3. С. 66--72
  4. Бухаров В.Э., Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. N 24. С. 55--60
  5. Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. N 13. С. 820--823
  6. Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 2. С. 23--29
  7. Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsura S.V. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2004. V. 226. N 4. P. 595-600
  8. Yu M.L., Lang N.D. // Phys. Rev. Lett. V. 50. P. 127--130
  9. Распыление под действием бомбардировки частицами / Пер. с англ. Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. М: Мир, 1998. 552 с
  10. Роках А.Г., Стецюра С.В. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1997. Т. 33. N 2. С. 198--200

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.