Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Соотношение между квазипороговым и беспороговым процессами Оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs
Школьник А.С.1, Евтихиев В.П.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: alex@mbepl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
Исследованы основные механизмы Оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками. Показано, что в квантовых точках кроме порогового существуют еще два принципиально различных механизма Оже-рекомбинации: 1) беспороговый механизм; 2) квазипороговый механизм. Показано, что при различных радиусах квантовых точек может доминировать как один, так и другой механизм. Показано, что при радиусе квантовой точки ~ 30 A вероятность Оже-рекомбинации сравнима с вероятностью излучательной рекомбинации. PACS: 32.80.Hd, 73.63.Kv
- Абакумов В.Н., Перель В.И., Ясиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб.: Изд-во ПИЯФ РАН, 1997
- Agrawal G.P., Dutta N.K. Long-Wavelenght Semiconductor Lasers. Van Nostrand Reinhold, N.Y., 1993
- Quantum Well Lasers / Ed. by P.S. Zory, Jr. Academic Press, Inc., 1993
- Beattie A.R., Landsberg P.T. // Proc. Roy. Soc. 1959. A249. P. 16
- Гельмонт Б.Л. // ЖЭТФ. 1978. Т. 75. С. 536
- Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н. // ФТП. 1982. Т. 116. С. 1670; Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Ясиевич И.Н. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1803; Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Халфин В.Б. // ФТТ. 1987. Т. 29. С. 2351
- Haug A. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1983. V. 16. P. 4159
- Takeshima M. // Phys. Rev. B. 1983. V. 28. P. 2039
- Зегря Г.Г., Полковников А.С. // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. С. 1491
- Pan J.L. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 3977
- Зегря Г.Г., Харченко В.А. // ЖЭТФ. 1992. Т. 101. С. 327
- Polkovnikov A.S., Zegrya G.G. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 4039
- Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Yu. // Phys. Rev. B. 1989. V. 49. P. 17 130
- Evtikhiev V.P., Kudryashov I.V., Tokranov V.E., Zegrya G.G. // 23rd Intern. Symposium on Semiconductors (ISCS-23). St. Petersburg, Russia, 23--27 September. 1996. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155. P. 795
- Deppe D.G., Huffaker D.L., Zou Z., Park G., Shchekin O.B. // IEEE J. Quant. Electron. 1999. V. 35. P. 1238
- Ghosh S., Bhattacharya P., Stoner E., Singh J., Jiang H., Nuttinck S., Laskar J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 722
- Chepic D.I., Efros Al. L., Ekimov A.I., Ivanov M.G., Kharchenko V.A., Kudriavtsev I.A., Yazeva T.V. // J. Luminescence. 1990. V. 47. P. 113
- Efros Al.L., Rosen M. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. P. 1110
- Kharchenko V.A., Rosen M. // J. Luminescence. 1996. V. 70. P. 158
- Зегря Г.Г., Полковников А.С. // Тез. докл. 2-й Росс. конф. по физике полупроводников. 1996. Т. 1. С. 95
- Dogonkine E.B., Golovach V.N., Polkovnikov A.S., Pozdnyakov A.V., Zegrya G.G. // 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. 2000. P. 399
- Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зегря Г.Г. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 507
- Marko I.P., Andreev A.D., Adams A.R., Krebs R., Reithmaier J.P., Forchel A. // IEEE Select. Topics Quant. Electron. 2003. V. 9. P. 1300
- Kane E.O. // J. Phys. Chem. Sol. 1957. V. 1. P. 249; Сурис Р.А. // ФТП. 1986. Т. 20. С. 2008
- Асрян Л.В., Сурис Р.А. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
