"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Соотношение между квазипороговым и беспороговым процессами Оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs
Школьник А.С.1, Евтихиев В.П.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alex@mbepl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Исследованы основные механизмы Оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками. Показано, что в квантовых точках кроме порогового существуют еще два принципиально различных механизма Оже-рекомбинации: 1) беспороговый механизм; 2) квазипороговый механизм. Показано, что при различных радиусах квантовых точек может доминировать как один, так и другой механизм. Показано, что при радиусе квантовой точки ~ 30 A вероятность Оже-рекомбинации сравнима с вероятностью излучательной рекомбинации. PACS: 32.80.Hd, 73.63.Kv
  1. Абакумов В.Н., Перель В.И., Ясиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб.: Изд-во ПИЯФ РАН, 1997
  2. Agrawal G.P., Dutta N.K. Long-Wavelenght Semiconductor Lasers. Van Nostrand Reinhold, N.Y., 1993
  3. Quantum Well Lasers / Ed. by P.S. Zory, Jr. Academic Press, Inc., 1993
  4. Beattie A.R., Landsberg P.T. // Proc. Roy. Soc. 1959. A249. P. 16
  5. Гельмонт Б.Л. // ЖЭТФ. 1978. Т. 75. С. 536
  6. Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н. // ФТП. 1982. Т. 116. С. 1670; Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Ясиевич И.Н. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1803; Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Халфин В.Б. // ФТТ. 1987. Т. 29. С. 2351
  7. Haug A. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1983. V. 16. P. 4159
  8. Takeshima M. // Phys. Rev. B. 1983. V. 28. P. 2039
  9. Зегря Г.Г., Полковников А.С. // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. С. 1491
  10. Pan J.L. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 3977
  11. Зегря Г.Г., Харченко В.А. // ЖЭТФ. 1992. Т. 101. С. 327
  12. Polkovnikov A.S., Zegrya G.G. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 4039
  13. Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Yu. // Phys. Rev. B. 1989. V. 49. P. 17 130
  14. Evtikhiev V.P., Kudryashov I.V., Tokranov V.E., Zegrya G.G. // 23rd Intern. Symposium on Semiconductors (ISCS-23). St. Petersburg, Russia, 23--27 September. 1996. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155. P. 795
  15. Deppe D.G., Huffaker D.L., Zou Z., Park G., Shchekin O.B. // IEEE J. Quant. Electron. 1999. V. 35. P. 1238
  16. Ghosh S., Bhattacharya P., Stoner E., Singh J., Jiang H., Nuttinck S., Laskar J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 722
  17. Chepic D.I., Efros Al. L., Ekimov A.I., Ivanov M.G., Kharchenko V.A., Kudriavtsev I.A., Yazeva T.V. // J. Luminescence. 1990. V. 47. P. 113
  18. Efros Al.L., Rosen M. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. P. 1110
  19. Kharchenko V.A., Rosen M. // J. Luminescence. 1996. V. 70. P. 158
  20. Зегря Г.Г., Полковников А.С. // Тез. докл. 2-й Росс. конф. по физике полупроводников. 1996. Т. 1. С. 95
  21. Dogonkine E.B., Golovach V.N., Polkovnikov A.S., Pozdnyakov A.V., Zegrya G.G. // 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. 2000. P. 399
  22. Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зегря Г.Г. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 507
  23. Marko I.P., Andreev A.D., Adams A.R., Krebs R., Reithmaier J.P., Forchel A. // IEEE Select. Topics Quant. Electron. 2003. V. 9. P. 1300
  24. Kane E.O. // J. Phys. Chem. Sol. 1957. V. 1. P. 249; Сурис Р.А. // ФТП. 1986. Т. 20. С. 2008
  25. Асрян Л.В., Сурис Р.А. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.