Хлоридная газофазная эпитаксия GaN на Si: структурные и люминесцентные характеристики слоев
Бессолов В.Н.1, Ботнарюк В.М.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1, Полетаев Н.К.1, Раевский С.Д.1, Родин С.Н.1, Смирнов С.Л.1, Шарофидинов Ш.1, Щеглов М.П.1, Seok Park Hee1, Koike Masayoshi1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Samsung Electron-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea
Поступила в редакцию: 6 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
Исследованы структурные и люминесцентные свойства слоев GaN, выращенных газофазным методом в хлоридной системе (HVPE) либо в атмосфере водорода, либо в атмосфере аргона на двухдюймовой Si(111) подложке с буферными слоями AlN. Показано, что замена атмосферы водорода на атмосферу аргона в процессе роста GaN слоя приводит к снижению шероховатости поверхности. Установлено, что отношение интенсивностей донорно-акцепторной и экситонной полос люминесценции уменьшается с уменьшением температуры роста GaN слоя. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции (FWHM) для лучших слоев GaN (0002) была 420 arcsec, а FWHM экситонной полосы люминесценции при 77 K - 48 meV. PACS: 78.66.-w, 81.05.Hd
- Dadgar A. et al. // Phys. stat. sol. C. 2003. V. 0. P. 1940
- Yu P.W. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 1692
- Zhang J.Х. et al. // J. Crystal Growth. 2005. V. 282. P. 137
- Honda Y. et al. // Phys. stat. sol. C. 2005. V. 2. P. 2126
- Бессолов В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 21. С. 30
- Мо С. et al. // J. Crystal Growth. 2005. V. 280. P. 335
- Koukitu A. et al. // J. Crystal Growth. 2005. V. 281. P. 47
- Reshchikov M.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 3041
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
