"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
12731
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
164

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2010 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Добрынин С.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бахтурова Л.Ф.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Каичев В.В.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Колубаев Е.А.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Кашников Б.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Смолин А.Ю.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Поляков О.В.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Атабаев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матчанов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
45
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
10
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
4
Ульяновский государственный университет
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
4
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
4
Саратовский государственный университет
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
2
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, Улан-Удэ
2
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток, Россия
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Физико-технический институт НПО "Физика
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2
Московский педагогический государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
1
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
1
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St.Andrews, North Haugh, St.Andrews, KY169SS, UK
1
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
1
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала
1
Саратовский государственный технический университет, Россия Centre for Research and Advanced Studies (CINVESTAV),, Saltillo, Mexico
1
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
1