"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12212
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
331

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2010 год:
Статья
Просмотров
Образование наноразмерных структур в металлах при воздействии импульсных плазменных струй электрического взрыва
31
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS
26
Микроканальный лавинный фотодиод с широким диапазоном линейности
19
Определение эффекта Баушингера методом прямого удара
17
Размерный эффект в процессах компактирования нанопорошков
16
Способ получения нитевидных нанокристаллов оксида цинка
15
Синхронизация квазипериодических колебаний связанных фазовых осцилляторов
15
Уравнение состояния твердого тела с фрактальной структурой
15
Сверхмикротвердость керамики на основе нанодисперсных порошков оксида алюминия с добавками нанопорошков оксидов магния и кремния
15
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO2 (lambda=4.3 mum)
13
Функционализация поверхности многостенных углеродных нанотрубок
13
Фазовая диаграмма углерода с областью метастабильных состояний жидкий углерод-алмаз
13
Тонкопленочные поляризаторы для видимого диапазона спектра с наноструктурированной поверхностью на основе углеродных нанотрубок
13
К оценке давления электрогидравлического эффекта в неограниченной упругой среде
12
Дифференциальное уравнение для температуры плавления частиц малых размеров
12
Влияние механоактивации наполнителей на параметры термостимулированных токов в полимерных композитах
12
Напряженность магнитного поля в ближней зоне рамочной антенны для систем радиочастотной идентификации
12
Влияние условий прессования на структуру и механические свойства нанокерамики на основе гексатитаната калия
12
Самоиндуцированный отрыв ламинарного пограничного слоя и процессы вязко-невязкого взаимодействия над пористой поверхностью
12
Генерация хаотических СВЧ-импульсов в кольцевой системе на основе клистронного усилителя мощности и нелинейной линии задержки на магнитостатических волнах
11
Статья
Просмотров
Сверхмикротвердость керамики на основе нанодисперсных порошков оксида алюминия с добавками нанопорошков оксидов магния и кремния
4367
Исследование методом комбинационного рассеяния фазовых превращений наноструктурированного анатаза TiO2 в результате ударного сжатия
2666
Фазовая диаграмма углерода с областью метастабильных состояний жидкий углерод-алмаз
2603
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS
2247
Микроканальный лавинный фотодиод с широким диапазоном линейности
2188
Функционализация поверхности многостенных углеродных нанотрубок
2113
Синхронизация квазипериодических колебаний связанных фазовых осцилляторов
1738
Уравнение состояния твердого тела с фрактальной структурой
1622
Напряженность магнитного поля в ближней зоне рамочной антенны для систем радиочастотной идентификации
1586
Определение эффекта Баушингера методом прямого удара
1535
Особенности двухфазного течения в прямоугольном микроканале
1496
О коэффициенте теплопроводности наножидкостей
1495
Монокристальные модификации электрооптического модулятора Маха-Цендера
1490
Гигантские обратимые деформации композитного материала с эффектом памяти формы
1438
Дифференциальное уравнение для температуры плавления частиц малых размеров
1392
Влияние ультразвука на адгезию металлических покрытий к цветным металлам
1392
Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
1370
Солитон в стенке нанотрубки и стоксово течение в ней
1362
Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур
1335
Влияние условий прессования на структуру и механические свойства нанокерамики на основе гексатитаната калия
1328
Сечение поглощения дальнего инфракрасного излучения кластеризованным водяным паром
1326
Адсорбция молекул гемоглобина в пористом кремнии
1319
Интегральный, абсолютный и относительный световыход керамик на основе ZnO
1297
Фазовый переход жидкость-жидкость в водных растворах н-углеводородов и амфифилов
1293
Волоконный лазер с пассивным модулятором добротности на основе фотоиндуцированных резонансных колебаний световода
1290
Экспериментальное исследование воздействия протонов на приборы с зарядовой связью
1285
Тонкопленочные поляризаторы для видимого диапазона спектра с наноструктурированной поверхностью на основе углеродных нанотрубок
1270
Особенности течения дисперсии из микрокапель воды в микроканалах
1262
Новый оптический W-световод Panda для чувствительной катушки волоконно-оптического гироскопа
1259
Нелинейность показателя преломления диэлектрических нанокомпозитов в слабых оптических полях
1254
Сглаживание и дифференцирование экспериментально измеренного распределения магнитного поля в зазоре электромагнита циклотрона
1253
Синтез наночастиц ZrO2 при окислении циркония сверхкритической водой
1238
Быстродействующие p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9-2.4 mum
1227
Электросиловое взаимодействие зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью
1223
Влияние механоактивации наполнителей на параметры термостимулированных токов в полимерных композитах
1217
Влияние плотности материала наночастиц на акустические параметры нанокомпозитных полимерных материалов
1217
Новый подход в метрологии в нанообласти
1213
Компенсация частотного рассогласования в многопучковых схемах кильватерного ускорения
1210
Механохимическое диспергирование терморасширенного графита
1208
Датчик постоянного магнитного поля на основе пьезоэлектрического кольца
1208
Об образовании отрицательных ионов в лазерном спектрометре приращения ионной подвижности
1207
Особенности формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком
1206
Контактная электризация кристаллов природного алмаза
1198
Лазер на кристалле Tm3+ : YLiF4 с резонансным отражателем
1195
Автоволны локализованного пластического течения и соотношение Холла-Петча в алюминии
1193
Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения
1186
Зондовые измерения в затопленной разреженной струе плазмы
1184
Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем
1182
Лазерное инициирование тетранитрата пентаэритрита со светорассеивающими добавками
1169
Моделирование и экспериментальное исследование микрополосковых резонаторов и фильтра на основе высокотемпературного сверхпроводника
1162
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дмитриев А.И.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Бахтурова Л.Ф.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Каичев В.В.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Кашников Б.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Быстров Ю.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поляков О.В.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ветров Н.З.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Добрынин С.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Атабаев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лисенков А.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж
3
Колубаев Е.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матчанов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смолин А.Ю.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
45
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
10
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
4
Ульяновский государственный университет
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
4
Саратовский государственный университет
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
2
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, Улан-Удэ
2
Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Физико-технический институт НПО "Физика
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
2
Московский педагогический государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
1
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
1
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St.Andrews, North Haugh, St.Andrews, KY169SS, UK
1
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
1
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала
1
Саратовский государственный технический университет, Россия Centre for Research and Advanced Studies (CINVESTAV),, Saltillo, Mexico
1
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
1
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Л.В. Решетнева, Красноярск
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme