Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
5
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Попов В.В.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл. Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Короновский А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Каманина Н.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный технический университет "ЛЭТИ " Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики "ИТМО"
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Стародубов А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Ильичев Э.А.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Полторацкий Э.А.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Рычков Г.С.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет Воронежская государственная технологическая академия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет, Саратов
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет, Саратов
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Овчинников А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Сидоренко А.А.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Маслов А.А.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Ванюков В.В.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт биофизики СО РАН, Красноярск, Академгородок
2
Могилева Т.Н.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт биофизики СО РАН, Красноярск, Академгородок
2
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Толмачев Г.Н.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горохов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кожевин В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова М.В.
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Кривов С.А.
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Институт горного дела СО РАН, Новосибирск
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Абрамов П.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Орлов А.М.
Ульяновский государственный университет
2
Явтушенко И.О.
Ульяновский государственный университет
2
Чурилов М.В.
Ульяновский государственный университет
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Пугачевский М.А.
Институт материаловедения ХНЦ ДВО РАН, Хабаровск Курский государственный технический университет, Курск
2
Зонов Р.Г.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Муратиков К.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Акчурин Р.Х.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Богинская И.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Вагапова Н.Т.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Мармалюк А.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Латышев А.В.
Московский государственный областной университет
2
Востриков А.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет, Томск
2
Гнюсов С.Ф.
Томский политехнический университет Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Таджикский Национальный Университет, Душанбе, Республика Таджикистан Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва, Россия
2
Шатский Е.Н.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Фетисов Ю.К.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Кясов А.А.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Черненский Л.Л.
Московский энергетический институт (Технический университет)
2
Вендик О.Г.
RFID департамент, ООО Систематика, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ", Санкт-Петербург
2
Коробкин Ю.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА
2
Харчевников В.К.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА
2
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пульнев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулешов А.Е.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Заславский В.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Каминский А.К.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Малкин А.М.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Перельштейн Э.А.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Седых С.Н.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Поздняков А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Институт проблем машиноведения, Санкт-Петербург, Россия Университет г. Байройт, Германия Институт физики полупроводников им. Лашкарева НАНУ, Киев, Украина
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Бордовский В.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Ляликов А.М.
Гродненский государственный университет им. Я. Купалы, Гродно, Беларусь
2
Кульчин Ю.Н.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Srinivasan G.
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Physics Department, Oakland University, Rochester, MI, USA
2
Левин М.Н.
Воронежский государственный университет Воронежская государственная технологическая академия
2
Бакшт Е.Х.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Гаджиев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бегинин Е.Н.
Саратовский государственный университет, Саратов
2
Августинович В.А.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Артеменко С.Н.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Юшков Ю.Г.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Шаповалов В.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
VI Systems GmbH, Hardenbergstrasse 7, Berlin,, Federal Republic of Germany
2
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольцман Г.Н.
Московский педагогический государственный университет
2
Десятсков А.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Козинцева М.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Сигов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Терукова Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мещеряков Ю.И.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Диваков А.К.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крылов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фортов В.Е.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва Московский физико-технический институт (Государственный университет), Москва
2
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный горный институт (Технический университет)
2
Садовой А.В.
Institute of Material Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research, Singapore, 3 Research Link
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
2
Суетин Н.В.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Сечкин Д.Г.
Саратовский государственный технический университет, Россия Centre for Research and Advanced Studies (CINVESTAV),, Saltillo, Mexico
1
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Свенская Ю.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
1
Пунегов В.И.
Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар Институт кристаллографии РАН, Москва
1
Мишакин С.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Григорьев С.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Голубев А.А.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка
1
Кичигин Г.Н.
Иркутский государственный университет путей сообщения, Иркутск Институт солнечно-земной физики СО РАН, Иркутск Иркутский государственный технический университет, Иркутск
1
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шейко Н.Л.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Суркаев А.Л.
Волгоградский государственный технический университет Волжский политехнический институт (филиал), Волжский
1
Фатеев Е.Г.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
1
Земляков В.Е.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл. Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Кузьмин Ю.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Казтаев О.Ж.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Кабов О.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия Исследовательский центр Микрогравитации Свободного университета г. Брюсселя, Бельгия
1
Метс Л.И.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жигачева Н.И.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мехтиева Р.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Хадия Н.М.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Департамент физики, Факультет естественных наук, Сохаджский Университет,, Сохадж, Египет
1
Кириллин А.В.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Середова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тихонов А.А.
Институт ядерных исследований РАН, Москва
1
Лобанов О.В.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Научно-исследовательский институт телевидения, Санкт-Петербург
1
Трошков С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
1
Пячин С.А.
Институт материаловедения ХНЦ ДВО РАН, Хабаровск Курский государственный технический университет, Курск
1
Нагорный И.Г.
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток Дальневосточный государственный университет, Владивосток Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Емельченко Г.А.
Институт монокристаллов, НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, Харьков, Украина Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Россия Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS, UMR, France
1
Лознецова Н.Н.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Павленко А.В.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
1
Латфуллин Д.Ф.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Министерство промышленности и торговли РФ, Москва Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва
1
Прокофьева М.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Коплик А.Б.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
1
Гусаров В.В.
Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
1
Зудов В.Н.
Институт теоретической и прикладной механики, Новосибирск
1
Данилов Д.С.
Центральный аэродинамический институт, Жуковский, Московская область
1
Шутова Н.С.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Бойченко А.П.
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Герасименко Н.Н.
Московский государственный институт электронной техники, Зеленоград ОАО НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", Зеленоград, Москва
1
Усанов Д.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Омельченко А.В.
Санкт-Петербургский академический университет РАН Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
1
Арсеньева Е.М.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
VI Systems GmbH, Hardenbergstrasse 7, Berlin,, Federal Republic of Germany
1
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Филатов А.В.
Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского, Санкт-Петербург
1
Пивень Н.П.
Филиал Института энергетических проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
1
Гавриков А.В.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва Московский физико-технический институт (Государственный университет), Москва
1
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук