Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
5
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дмитриев А.И.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко Д.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кашкаров В.М.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Назариков И.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Добрынин С.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Колубаев Е.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Смолин А.Ю.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Быстров Ю.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук