Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Ветров Н.З.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильичев Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Лисенков А.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Филатова Е.О.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лысенков К.М.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Полторацкий Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Соколов А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Песков Н.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Москаленко О.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук