Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Ветров Н.З.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильичев Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Толмачев Г.Н.
Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
3
Лисенков А.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Филатова Е.О.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3
Лысенков К.М.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Песков Н.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Бадалян А.М.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Полторацкий Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Соколов А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Бахтурова Л.Ф.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко Д.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук