Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
5
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
4
Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Попов В.В.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл. Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Короновский А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Каманина Н.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный технический университет "ЛЭТИ " Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики "ИТМО"
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Стародубов А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Ильичев Э.А.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Полторацкий Э.А.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Рычков Г.С.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
3
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет Воронежская государственная технологическая академия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет, Саратов
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет, Саратов
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Овчинников А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Сидоренко А.А.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Маслов А.А.
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Ванюков В.В.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт биофизики СО РАН, Красноярск, Академгородок
2
Могилева Т.Н.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт биофизики СО РАН, Красноярск, Академгородок
2
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Толмачев Г.Н.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горохов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кожевин В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова М.В.
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Кривов С.А.
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Институт горного дела СО РАН, Новосибирск
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Абрамов П.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Орлов А.М.
Ульяновский государственный университет
2
Явтушенко И.О.
Ульяновский государственный университет
2
Чурилов М.В.
Ульяновский государственный университет
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Пугачевский М.А.
Институт материаловедения ХНЦ ДВО РАН, Хабаровск Курский государственный технический университет, Курск
2
Зонов Р.Г.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Муратиков К.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Акчурин Р.Х.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Богинская И.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Вагапова Н.Т.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Мармалюк А.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), Москва ООО "Сигм Плюс", Москва
2
Латышев А.В.
Московский государственный областной университет
2
Востриков А.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет, Томск
2
Гнюсов С.Ф.
Томский политехнический университет Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
2
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Таджикский Национальный Университет, Душанбе, Республика Таджикистан Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва, Россия
2
Шатский Е.Н.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Фетисов Ю.К.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Кясов А.А.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Черненский Л.Л.
Московский энергетический институт (Технический университет)
2
Вендик О.Г.
RFID департамент, ООО Систематика, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ", Санкт-Петербург
2
Коробкин Ю.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА
2
Харчевников В.К.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА
2
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пульнев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулешов А.Е.
Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Заславский В.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Каминский А.К.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Малкин А.М.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Перельштейн Э.А.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Седых С.Н.
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
2
Поздняков А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Институт проблем машиноведения, Санкт-Петербург, Россия Университет г. Байройт, Германия Институт физики полупроводников им. Лашкарева НАНУ, Киев, Украина
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Бордовский В.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Ляликов А.М.
Гродненский государственный университет им. Я. Купалы, Гродно, Беларусь
2
Кульчин Ю.Н.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Srinivasan G.
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Physics Department, Oakland University, Rochester, MI, USA
2
Левин М.Н.
Воронежский государственный университет Воронежская государственная технологическая академия
2
Бакшт Е.Х.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Гаджиев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бегинин Е.Н.
Саратовский государственный университет, Саратов
2
Августинович В.А.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Артеменко С.Н.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Юшков Ю.Г.
НИИ ядерной физики Томского политехнического университета
2
Шаповалов В.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
VI Systems GmbH, Hardenbergstrasse 7, Berlin,, Federal Republic of Germany
2
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольцман Г.Н.
Московский педагогический государственный университет
2
Десятсков А.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Козинцева М.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Сигов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Терукова Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мещеряков Ю.И.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Диваков А.К.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крылов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фортов В.Е.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва Московский физико-технический институт (Государственный университет), Москва
2
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный горный институт (Технический университет)
2
Садовой А.В.
Institute of Material Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research, Singapore, 3 Research Link
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
2
Стенькин Ю.А.
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
1
Родинин М.Ю.
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
Атаев Б.М.
Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала
1
Курчатов И.М.
ОАО "Аквасервис", Москва Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва
1
Грузнев Д.В.
Институт автоматики и процессов управления ДО РАН, Владивосток
Институт физики материалов УрО РАН, Екатеринбург
1
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, USA
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Дедкова Е.Г.
Российский университет дружбы народов, Москва Московский физико-технический институт (ГУ), Долгопрудный
1
Бунчук С.Г.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Киев Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев
1
Туртиков В.И.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка
1
Пляка П.С.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
1
Кузиков С.В.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород
1
Лабзовская М.Э.
НИИ физики им. В.А. Фока СПбГУ, Санкт-Петербург НПП "Буревестник", Санкт-Петербург
1
Куликов Д.В.
Санкт-Петербургский академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Полищук О.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
1
Нурмухаметов Д.Р.
Кемеровский государственный университет Кемеровский филиал Института химии твердого тела и механохимии СО РАН
1
Вакштейн М.С.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики Научно-исследовательский институт прикладной акустики, Московская область, Дубна Санкт-Петербургский государственный технический университет "ЛЭТИ"
1
Михайлова Н.А.
Саратовский государственный университет ООО НПП "Наноструктурная технология стекла", Саратов
1
Белоненко М.Б.
Волгоградский государственный педагогический университет
1
Boetthcher J.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
1
Беспалов А.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
1
Курнаев В.А.
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
1
Ковтун А.П.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
1
Горелик Р.С.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Разбирин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Филиппов А.Э.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия
Донецкий физико-технический институт, Украина
1
Хромов В.И.
Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Россия
1
Кривулин Н.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Локтионов Е.Ю.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Егоров Е.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Федоров М.А.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Громов В.Е.
Сибирский государственный индустриальный университет, Новокузнецк
1
Кютт Р.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шутый А.М.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск
1
Емельченко Г.А.
Институт монокристаллов, НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, Харьков, Украина Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Россия Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS, UMR, France
1
Лознецова Н.Н.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Павленко А.В.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
1
Латфуллин Д.Ф.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Министерство промышленности и торговли РФ, Москва Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва
1
Прокофьева М.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Коплик А.Б.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
1
Гусаров В.В.
Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
1
Зудов В.Н.
Институт теоретической и прикладной механики, Новосибирск
1
Данилов Д.С.
Центральный аэродинамический институт, Жуковский, Московская область
1
Шутова Н.С.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Бойченко А.П.
Кубанский государственный университет, Краснодар
1
Герасименко Н.Н.
Московский государственный институт электронной техники, Зеленоград ОАО НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", Зеленоград, Москва
1
Усанов Д.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Омельченко А.В.
Санкт-Петербургский академический университет РАН Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
1
Арсеньева Е.М.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
1
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Филатов А.В.
Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского, Санкт-Петербург
1
Пивень Н.П.
Филиал Института энергетических проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
1
Гавриков А.В.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва Московский физико-технический институт (Государственный университет), Москва
1
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук