Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
4
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильичев Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Полторацкий Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Москаленко О.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Саратовский филиал)
3
Фетисов Ю.К.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет Томский политехнический университет
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН, Санкт-Петербург
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Грузнев Д.В.
Институт автоматики и процессов управления ДО РАН, Владивосток
2
Сигов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
2
Пульнев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук