"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
12086
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
205

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2010 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
5
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Овчинников А.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Волкова Л.Н.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баженов Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дмитриев А.И.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Сергеев А.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Пчеляков О.П.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко Д.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Смирнов Г.И.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кашкаров В.М.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Назариков И.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Добрынин С.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Колубаев Е.А.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Смолин А.Ю.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Быстров Ю.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
45
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
4
Ульяновский государственный университет
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
4
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Саратовский государственный университет
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
2
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск
2
Московский энергетический институт (ТУ)
2
Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, Улан-Удэ
2
Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Саратовский филиал института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
2
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2
Физико-технический институт НПО "Физика
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
2
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
2
Московский педагогический государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
1
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
1
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St.Andrews, North Haugh, St.Andrews, KY169SS, UK
1
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
1
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала
1
Саратовский государственный технический университет, Россия Centre for Research and Advanced Studies (CINVESTAV),, Saltillo, Mexico
1
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
1
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров
1
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Л.В. Решетнева, Красноярск
1