"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур
Марченко И.Г.1, Жданович Н.Е.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Email: march@ifttp.bas.-net.by
Поступила в редакцию: 14 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Поведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока IR и прямой ВАХ в кремниевых p+-n-n+-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0.5-3.8 g/cm2). В том случае, когда d=14 mm (3.8 g/cm2), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение IR и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1.5 mus.
  • Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 312 с
  • Витман В.Ф., Кутлахметов А.В., Решетин В.П., Шаховцов В.И., Шуман В.Б. // Тез. докл. Республ. совещания "Радиационные повреждения в твердых телах". Киев, 1974. С. 73--75
  • Коршунов Ф.П. // Вестник АН СССР. 1982. N 11. С. 80--87
  • Патент США N 7049674. Опубл. 23.05.2006. Патент Беларуси N 11307. Опубл. 05.08.2008
  • Горбань А.Н., Кравчина В.В., Гомольский Д.М., Солодовник А.И. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. N 3. С. 36--40
  • Губарев В.Н., Сурма А.М., Ковров А.В., Семенов А.Ю. // Прикладная физика. 2001. N 4. С. 85--92
  • Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. // Microelectronics J. 2004. V. 35. P. 249--257
  • Щукина И., Некрасов М. // Силовая электроника. 2004. N 1. С. 15--17
  • Lax B., Neustadter T.J. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N 9. P. 1148--1154
  • Стародубцев В.С., Романов А.М. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1962. 227 с
  • Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.В., Ломасов В.Н., Ременюк А.Д., Ткаченко В.Н., Толстобров М.Г. // ФТП. 1989. Т. 23. С. 753--756
  • Stassinopoulos E.G., Raymond James P. // Proc. IEEE. 1988. V. 76. N 11. P. 23--43
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.