"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12580
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
13

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
26
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
20
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
20
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
19
Магнитоупругие волны в пластинах ортоферрита иттрия
18
Динамическая модель формирования трехмерных кластеров
18
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
17
Определение параметров систем с запаздыванием по переходным процессам
17
Аномалия магнитной восприимчивости монокристалла манганита Nd0.5Sr0.5MnO3
16
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
16
Использование многослойного диэлектрического заполнения для уменьшения потерь мощности в ускорительных структурах
16
Эффект "вымирания" квазипериодических режимов в системе диссипативно связанных осцилляторов Ван-дер-Поля с импульсным воздействием
16
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
16
Самомодуляция акустической волны в твердом теле с дислокациями
16
Частотная зависимость магнитоэлектрического эффекта в керамических материалах на основе цирконата-титаната свинца и феррита никеля
15
Источник двухполосного излучения на основе трехбарьерной KrCl-XeBr-эксилампы
15
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
15
Ионизация вещества испаряющейся капли в неравновесной плазме
15
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
15
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
15
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
4870
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
2485
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
2196
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
1967
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
1896
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
1862
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1840
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1824
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1778
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1740
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1685
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
1670
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1658
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
1634
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1630
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
1614
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1595
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1563
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
1559
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
1552
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1550
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
1537
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1524
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1524
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1518
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
1511
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
1508
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
1499
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
1496
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
1491
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
1477
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
1476
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
1468
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
1445
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
1444
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
1443
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
1436
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
1412
Дипольный момент кластеров воды и парниковый эффект
1412
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
1412
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
1404
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
1394
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
1388
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
1385
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
1368
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
1359
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
1357
Модифицированный лазерный дифрактометр для исследования биологических микрообъектов
1349
Управляемый сверхвысокочастотный жидкокристаллический фазовращатель
1337
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
1329
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Соколов М.А.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Степанов М.В.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Darmstadt University of Technology, Darmstadt, Germany
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лосев С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme