"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12028
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
147

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
63
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
29
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
28
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
27
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
23
О рассеянии рентгеновских лучей на сверхрешетке с квантовыми точками
23
Показатель преломления борокарбида алюминия Al3C2B48
22
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
22
Модификация приповерхностных слоев медной фольги при воздействии объемным наносекундным разрядом в воздухе атмосферного давления
21
Неустойчивость замедляющегося электронного потока, инжектированного в плоский диод
21
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
21
InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства
21
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
20
Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок
20
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
20
Формирование полимерного ориентирующего покрытия в жидкокристаллических ячейках с использованием магнитного поля
20
Светодиоды (lambda=3.6 mum) с оптическим возбуждением на основе фотонных кристаллов в арсениде индия
19
Использование электрохимической мембранной методики для исследования процессов переноса водорода в германии
19
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
19
Оптическое возбуждение волн пространственного заряда с участием межзонных переходов в Bi12GeO20
19
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
3841
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
1516
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
1404
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
1396
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1302
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
1271
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1264
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
1248
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1225
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1225
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1187
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1183
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1161
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1134
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1128
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1124
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1123
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1104
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1085
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
1075
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
1057
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
1051
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
1044
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
1039
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
1014
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
1013
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
1010
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
1004
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
1001
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
1000
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
998
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
997
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
990
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
966
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
965
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
963
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
953
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
952
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
946
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
938
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
936
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
930
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
930
Самоорганизующаяся микрогетерогенность и высокая протонная проводимость твердой эвтектики гидроксидов калия и натрия
925
Источник электронов и режим ускорения пикосекундного пучка в газовом диоде с неоднородным полем
918
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
915
Исследование функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением
914
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
912
Критерий применения параболического уравнения теплопроводности
911
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
908
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Долбак А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Бойков Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пронин И.П.
Университет г. Авейро, Португалия Тверской государственный университет, Тверь, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Быстров Ю.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров С.И.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Липатов И.И.
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
52
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет
1
Нижегородский государственный технический университет
1
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme