"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12663
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
96

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
27
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
20
Спектроскопия упругого отражения электронов для количественного элементного анализа поверхности твердого тела
17
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
16
Мультигигаваттная релятивистская лампа обратной волны сантиметрового диапазона с модулирующим резонансным рефлектором
15
Порообразование в алюминиевых пленках на макропористом кремнии при высокотемпературном отжиге
15
Влияние дизайна напряженно-компенсированных сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN на их оптические свойства
15
Ионизация вещества испаряющейся капли в неравновесной плазме
15
Использование двумерной распределенной обратной связи для синхронизации излучения лазерных активных сред
15
Экспериментальное исследование аномалий поглощения энергии в нанокристаллическом титане при циклическом нагружении
15
Формирование струи при пробое жидкости ультракороткими лазерными импульсами вблизи границы раздела жидкость-газ
15
Метод определения коэффициентов эффективности плазменного ускорителя с замкнутым дрейфом электронов
14
Высокоразрешающие методы микроскопии при анализе структуры неоднородностей на поверхности органических пленок
14
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
14
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
14
Влияние циклических отжигов на статические и высокочастотные характеристики структур на основе пленок Y-Ba-Cu-O
14
Нелинейное резонансное отражение света в присутствии звуковой волны
14
Определение теплового потока по измерениям температуры поверхности в импульсных газодинамических процессах
14
Динамика вспышек люминесценции кварца и полиметилметакрилата при сухом трении
14
О начальной стадии пробоя газового промежутка в неоднородном поле
14
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
4934
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
2607
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
2297
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
2098
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
1963
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
1953
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1912
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1894
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1840
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1812
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
1766
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1752
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1750
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
1698
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
1697
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1683
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
1677
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1658
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
1646
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1628
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1612
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
1601
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1596
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
1592
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1585
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
1584
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1581
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
1567
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
1565
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
1555
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
1543
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
1541
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
1525
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
1509
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
1507
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
1505
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
1498
Дипольный момент кластеров воды и парниковый эффект
1489
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
1478
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
1475
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
1471
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
1466
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
1450
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
1447
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
1431
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
1426
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
1423
Модифицированный лазерный дифрактометр для исследования биологических микрообъектов
1411
Управляемый сверхвысокочастотный жидкокристаллический фазовращатель
1402
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
1397
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кущенков С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Петров С.И.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Герасимов В.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Darmstadt University of Technology, Darmstadt, Germany
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme