"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12731
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
358
328
164

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
23
Резонансное усиление пьезоэлектрических, диэлектрических и магнитоэлектрических констант неоднородных мультиферроиков в переменном электрическом поле
17
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
16
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
15
Экспериментальное исследование аномалий поглощения энергии в нанокристаллическом титане при циклическом нагружении
15
Создание субмикронного металлического рисунка произвольной геометрии с использованием селективного удаления атомов кислорода из оксида молибдена
15
Нелинейное отражение поверхностных акустических волн от линии контакта твердых тел
15
Дипольный момент кластеров воды и парниковый эффект
14
Определение остаточных примесей в монокристаллах сапфира методами электронного парамагнитного резонанса и ядерно-активационного анализа
14
Генерирование гигаваттных импульсов диапазона 10 GHz со стабильной фазой
13
Кинетика внедрения кумулятивной струи в стекло
13
Точные безынтегральные выражения для интегральных функций Дебая
12
Статический многощелевой дисперсионный оптический спектрометр, основанный на комплементарных последовательностях Голея
12
Возникновение зародышей мезополос локализованной деформации на интерфейсе "поверхностный слой-подложка" и их распространение в объеме нагруженного твердого тела, находящегося в неравновесном состоянии
12
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
12
Деканалирование ионов на атомах, внедренных в углеродные нанотрубки
12
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
12
Сопротивление хрупких тел высокоскоростному внедрению на начальной стадии соударения
12
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
12
Высокоразрешающие методы микроскопии при анализе структуры неоднородностей на поверхности органических пленок
12
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
5001
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
2702
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
2394
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
2202
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
2033
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
2025
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1982
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1964
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1909
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1894
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
1843
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1836
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1822
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
1785
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
1776
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
1767
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1753
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1726
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
1725
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
1702
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1697
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1682
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1664
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1663
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
1658
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
1657
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1639
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
1635
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
1631
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
1628
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
1623
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
1610
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
1583
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
1580
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
1572
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
1572
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
1568
Дипольный момент кластеров воды и парниковый эффект
1566
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
1547
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
1539
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
1534
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
1529
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
1522
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
1514
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
1501
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
1493
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
1489
Модифицированный лазерный дифрактометр для исследования биологических микрообъектов
1479
Управляемый сверхвысокочастотный жидкокристаллический фазовращатель
1468
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
1465
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Красовицкий Д.М.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Куркан И.К.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павленко М.В.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Лачинов А.Н.
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme