Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Соколов М.А.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Кущенков С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Степанов М.В.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
3
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
3
Бойков Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук