Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Московский государственный университет
3
Куркан И.К.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Полевин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Псахье С.Г.
Донецкий физико-технический институт, Донецк, Украина Берлинский технический университет, Берлин, Германия Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сибирёв Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
3
Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
3
Пономаренко В.И.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
3
Алексеев А.Н.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Бырназ А.Э.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Красовицкий Д.М.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Павленко М.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Петров С.И.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Погорельский Ю.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Соколов И.А.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Соколов М.А.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Степанов М.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Чалый В.П.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Попов В.Л.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
3
Филиппов А.Э.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
3
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Веттегрень В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шевера И.В.
Ужгородский национальный университет, Украина
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Зуев Л.Б.
Томский политехнический университет, Томск Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Геворгян А.А.
Ереванский государственный университет, Армения
2
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
2
Козырев А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Липатов И.И.
МГОГУ, Москва
Центральный аэрогидродинамический институт им. проф. Н.Е. Жуковского, Жуковский, Московская обл., Россия
2
Горшков О.А.
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Коншина Е.А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров М.А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Амосова Л.П.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Коненкова Е.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прохоров М.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Лачинов А.Н.
Башкирский государственный педагогический университет, Уфа Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, Уфа
2
Рудяк В.Я.
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет, Новосибирск Бейкер Атлас российский научный центр, Новосибирск Институт химической кинетики и горения СО РАН, Новосибирск
2
Зайцев Б.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Кузнецова И.Е.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Зубарева О.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
2
Беломытцев С.Я.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Рыжов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Шелых А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козырев А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Шабанов В.Ф.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Каминский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Россия
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия Oakland University, Rochester, Michigan, USA
2
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Россия
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия Oakland University, Rochester, Michigan, USA
2
Станкевич Н.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Тюрюкина Л.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штейнберг А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов П.А.
Научный центр лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Брянский государственный университет
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров С.Б.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Погорельский М.Ю.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Ткаченко А.Г.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Путин Г.Ф.
Пермский государственный университет
2
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
2
Тумаркин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Алтынников А.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Шкурко А.П.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
2
Плешаков И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики им. В.А. Фока. Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
2
Пронин И.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каптелов Е.Ю.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савицкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мамалимов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пунегов В.И.
Коми научный центр УpО РАН, Сыктывкар, Россия
2
Окунев В.Д.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Дьяченко Т.А.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Lewandowski S.J.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Фёдоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурин Н.Т.
Ульяновский государственный университет
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синицын М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кубанкин А.С.
Белгородский государственный университет
2
Андреев И.А.
Department of Physics, Uludag University,, Gorukle, Bursa, Turkey Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бойков Ю.А.
Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2
Кузнецов С.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Department of Information Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano 38, Japan
2
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
2
Паюсов А.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
2
Степанов А.Л.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Валеев В.Ф.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Нуждин В.И.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Файзрахманов И.А.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Абросимов Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Морозов М.Ю.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Саратовский государственный технический университет
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург OAO Специальное конструкторско-технологическое бюро "Ксенон", Зеленоград, Москва Петербургский государственный университет путей сообщения, Санкт-Петербург
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лосев С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
2
Кобзев О.В.
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Янг З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Туйчиев Ш.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Угодников Г.Г.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Устинов К.Б.
Институт проблем механики РАН, Москва ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва
1
Сокольский А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Тарасенко А.Н.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Новиков И.В.
Вузовско-академический отдел нелинейной оптики ИЭФ УрО РАН и ЮУрГУ, Челябинск
1
Максимов П.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Беляев А.В.
Пермский государственный университет
1
Смородин Б.Л.
Пермский государственный университет
1
Макаров С.В.
Алтайский государственный университет, Барнаул
1
Харламова М.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Саполетова Н.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Морозов А.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) Институт ядерного синтеза РНЦ "Курчатовский институт", Москва
1
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Паршин А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
1
Александрова Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
1
Михеева Т.Г.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
Чувашский государственный университет, Чебоксары, Россия
1
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юзова В.А.
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" Политехнический институт, Красноярск Институт биофизики СО РАН, Красноярск
1
Ломунов А.К.
Научно-исследовательский институт механики Нижегородского государственного университета
1
Сержантов А.М.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
1
Ванников А.В.
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
IMEC, Leuven, Belgium Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Betz G.
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Inst. fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,, Wien, Austria
1
Корнич Г.В.
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Inst. fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,, Wien, Austria
1
Замураев В.П.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
1
Петров Д.В.
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Saintier N.
Институт механики сплошных сред УрО РАН, Пермь Институт физики перспективных материалов УГАТУ, Уфа E.N.S.A.M. Laboratoire Materiaux Endommagement Fiabilite et Ingenierie des Procedes (LAMEFIP), EA, Esplanade des Arts et Metiers, Talence Cedex, France
1
Махкамов Ш.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Ташкент
1
Ковальчук Б.М.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Нагорный И.Г.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск Институт биологии моря ДВО РАН, Владивосток
1
Пестряков Е.В.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск Институт биологии моря ДВО РАН, Владивосток
1
Сергеева О.Н.
Университет г. Авейро, Португалия Тверской государственный университет, Тверь, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чайников М.В.
Саратовский государственный университет, Научно-образовательный институт оптики и биофотоники, Саратов ООО НПП "Наноструктурная технология стекла", Саратов
1
Соренсен Ж.Н.
Институт теплофизики СО РАН, Новосибирск, Россия Машиностроительный факультет Датского технического университета, ДК-, Люнгби, Дания
1
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Скакун В.С.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Семенов С.В.
Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия
1
Резниченко Л.А.
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала НИИ физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону
1
Семёнов А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Трошин С.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Митяков В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
1
Матюхин С.И.
Орловский государственный технический университет
1
Мельникова Е.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Некучаев В.О.
Санкт-Петербургский государственный университет Ухтинский государственный технический университет
1
Ткаченко Д.В.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
1
Хаджи П.И.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
1
Шевень Д.Г.
Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
1
Румянцев Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
1
Матчанов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
1
Михайлов В.И.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Украина Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия
1
Хохлов В.А.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Украина Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия
1
Весна В.А.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
1
Лонин Ю.Ф.
ННЦ "ХФТИ", Харьков, Украина
Институт электрофизики и радиационных технологий НАН Украины, Харьков, Украина Научно-производственный центр "Инженерно-технологические системы", Киев, Украина
1
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук