"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
11948
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
67

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
84
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
30
Учет конечной проводимоcти при расчете волноводов СВЧ и КВЧ диапазонов на основе релятивистского подхода
29
О "холодной" и "тепловой" силах Казимира-Полдера при взаимодействии атома с поверхностью нагретой пластины
27
Использование многослойного диэлектрического заполнения для уменьшения потерь мощности в ускорительных структурах
26
Двухкомпонентное акцепторное легирование эпитаксиального фосфида галлия и его использование в приборах высокотемпературной электроники
26
Граничные (минимальное и максимальное) значения эффективной проводимости в условиях квантового эффекта Холла
26
InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства
25
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
24
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
24
Магнитоупругие волны в пластинах ортоферрита иттрия
23
Электронный переход металл-изолятор в графите: сравнение с гетероструктурами с высокой подвижностью носителей заряда
23
Магнитотранспортные параметры двухосно механически напряженных пленок (25 nm)La0.67Ca0.33MnO3
23
Модификация приповерхностных слоев медной фольги при воздействии объемным наносекундным разрядом в воздухе атмосферного давления
23
Оптическое возбуждение волн пространственного заряда с участием межзонных переходов в Bi12GeO20
23
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
23
Управляемые дифракционные жидко-кристаллические структуры на основе полимерного фотоориентанта
23
Мессбауэровские исследования аморфных TbFeCo пленок для "перпендикулярной" магнитной записи информации
23
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
22
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
22
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
3482
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
1381
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
1315
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
1299
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1211
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
1165
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
1160
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1159
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1120
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1118
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1109
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1089
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1084
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1059
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1048
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1043
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1037
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1023
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1019
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
984
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
977
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
975
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
972
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
953
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
941
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
931
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
922
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
921
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
918
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
916
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
908
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
904
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
903
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
892
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
887
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
884
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
879
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
876
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
867
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
866
Источник электронов и режим ускорения пикосекундного пучка в газовом диоде с неоднородным полем
861
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
856
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
856
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
852
Характеристики излучения, возникающего при преобразовании обратных объемных магнитостатических волн в электромагнитные
849
Критерий применения параболического уравнения теплопроводности
841
Функция распределения ультрадисперсных алмазов по размерам
840
Модифицированный лазерный дифрактометр для исследования биологических микрообъектов
838
Самоорганизующаяся микрогетерогенность и высокая протонная проводимость твердой эвтектики гидроксидов калия и натрия
833
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
832
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Абросимов Н.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кукушкин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.Л.
Донецкий физико-технический институт, Донецк, Украина Берлинский технический университет, Берлин, Германия Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
3
Чалый В.П.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алексеев А.Н.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сибирёв Н.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3
Лачинов А.Н.
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
3
Бырназ А.Э.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
3
Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3
Феоктистов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Пономаренко В.И.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Красовицкий Д.М.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Куркан И.К.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павленко М.В.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Полевин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Петров С.И.
ЗАО "Светлана-РОСТ", Санкт-Петербург
3
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
45
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
8
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
4
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
4
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
3
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
3
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород
2
Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики
2
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
2
Белорусский государственный университет, Минск
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет
1
Нижегородский государственный технический университет
1
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
1
Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск Новгородский государственный университет, Великий Новгород
1
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал)
1
Институт проблем механики РАН, Москва ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва
1

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme