Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
4
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Московский государственный университет
3
Куркан И.К.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Полевин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Псахье С.Г.
Донецкий физико-технический институт, Донецк, Украина Берлинский технический университет, Берлин, Германия Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сибирёв Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
3
Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
3
Пономаренко В.И.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
3
Алексеев А.Н.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Бырназ А.Э.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Красовицкий Д.М.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Павленко М.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Петров С.И.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Погорельский Ю.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Соколов И.А.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Соколов М.А.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Степанов М.В.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Чалый В.П.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
3
Попов В.Л.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
3
Филиппов А.Э.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
3
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Веттегрень В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шевера И.В.
Ужгородский национальный университет, Украина
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
3
Зуев Л.Б.
Томский политехнический университет, Томск Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
3
Геворгян А.А.
Ереванский государственный университет, Армения
2
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
2
Козырев А.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Липатов И.И.
МГОГУ, Москва
Центральный аэрогидродинамический институт им. проф. Н.Е. Жуковского, Жуковский, Московская обл., Россия
2
Горшков О.А.
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Коншина Е.А.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров М.А.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Амосова Л.П.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Коненкова Е.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прохоров М.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Лачинов А.Н.
Башкирский государственный педагогический университет, Уфа Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, Уфа
2
Рудяк В.Я.
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет, Новосибирск Бейкер Атлас российский научный центр, Новосибирск Институт химической кинетики и горения СО РАН, Новосибирск
2
Зайцев Б.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Кузнецова И.Е.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Зубарева О.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
2
Беломытцев С.Я.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Рыжов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Шелых А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козырев А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Шабанов В.Ф.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Каминский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Россия
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия Oakland University, Rochester, Michigan, USA
2
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Россия
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия Oakland University, Rochester, Michigan, USA
2
Станкевич Н.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Тюрюкина Л.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штейнберг А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов П.А.
Научный центр лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Брянский государственный университет
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров С.Б.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Погорельский М.Ю.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Ткаченко А.Г.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Путин Г.Ф.
Пермский государственный университет
2
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский государственный университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург LPN CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France
2
Тумаркин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Алтынников А.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Шкурко А.П.
ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
2
Плешаков И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики им. В.А. Фока. Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
2
Пронин И.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каптелов Е.Ю.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савицкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мамалимов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пунегов В.И.
Коми научный центр УpО РАН, Сыктывкар, Россия
2
Окунев В.Д.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Дьяченко Т.А.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Lewandowski S.J.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland
2
Фёдоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурин Н.Т.
Ульяновский государственный университет
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синицын М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кубанкин А.С.
Белгородский государственный университет
2
Андреев И.А.
Department of Physics, Uludag University,, Gorukle, Bursa, Turkey Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бойков Ю.А.
Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2
Кузнецов С.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камзин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Department of Information Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano 38, Japan
2
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
2
Паюсов А.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
2
Степанов А.Л.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Валеев В.Ф.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Нуждин В.И.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Файзрахманов И.А.
Лазерный центр Ганновера, Ганновер, Германия Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского РАН, Казань, Россия
2
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Абросимов Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
2
Морозов М.Ю.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН Саратовский государственный технический университет
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург OAO Специальное конструкторско-технологическое бюро "Ксенон", Зеленоград, Москва Петербургский государственный университет путей сообщения, Санкт-Петербург
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лосев С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Волович П.Н.
Ужгородский национальный университет, Украина
1
Есиев Р.У.
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Бученков В.А.
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Белкин А.А.
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет, Новосибирск, Россия
1
Божевольнов В.Б.
Научно-исследовательский институт физики СПбГУ им. В.А. Фока, С.-Петербург
1
Виноградова О.П.
ФГУП НПК ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лексовский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лерер А.М.
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
1
Бордонский Г.С.
Институт природных ресурсов, экологии и криологии СО РАН, Чита, Россия
1
Гурулев А.А.
Институт природных ресурсов, экологии и криологии СО РАН, Чита, Россия
1
Гончаренко И.М.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Скоренцев Л.Ф.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Кашерининов П.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жмакин А.И.
Санкт-Петербургский филиал Межведомственного суперкомпьютерного центра РАН, Санкт-Петербург OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Павлов С.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Исаев М.В.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Мамедов Р.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики
1
Стародубцев А.А.
ГОУ ВПО Воронежская государственная технологическая академия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мартынович Е.Ф.
Иркутский филиал Института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия
Иркутский государственный университет
1
Барбин Н.М.
Уральский государственный технический университет --- УПИ, Екатеринбург Уральский институт ГПС МЧС России, Екатеринбург Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург
1
Шарофидинов Ш.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Маркевич В.П.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Гасанов И.С.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
1
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Сигм Плюс, Москва
1
Разумов С.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Середкин В.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
1
Широчин Л.А.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
1
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шахов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстрапов А.А.
Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
1
Латфуллин Д.Ф.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Хамукова Л.А.
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
1
Василяк Л.М.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Конюшкин В.А.
Научный центр лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Брянский государственный университет
1
Рудаков В.И.
Ярославский филиал Физико-технологического института РАН
1
Овчаров В.В.
Ярославский филиал Физико-технологического института РАН
1
Samet Refik
Departmant of Computer Engineering, Engineering Faculty of Ankara University, Aziz Kansu Building Tandogan Kampus,, Tandogan, Ankara, Turkey Институт физики НАН Азербайджана, Баку
1
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала НИИ физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону
1
Дрожжин А.П.
Новосибирский государственный технический университет Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН
1
Коробейников С.М.
Новосибирский государственный технический университет Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН
1
Пушкарев С.С.
Национальный научный центр "Физико-технический институт", Харьков, Украина
1
Нешев Ф.Г.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
1
Бреган А.Д.
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики им. В.А. Фока. Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
1
Володин В.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики им. В.А. Фока. Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва
1
Ушаков Н.М.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
1
Малинина А.А.
Ужгородский национальный университет, Украина
1
Шулов В.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск Institute if Ion Beam Physics and Materials Research, FZD,, Dresden, Germany Московский авиационный институт
1
Хоконов М.Х.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
1
Kaynak G.
Department of Physics, Uludag University,, Gorukle, Bursa, Turkey Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Куницына Е.В.
Department of Physics, Uludag University,, Gorukle, Bursa, Turkey Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубков В.И.
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Фрязинский филиал
1
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
1
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
Pohang, 790--784, Korea
1
Довгий В.Т.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Украина Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия
1
Болотина И.О.
Томский политехнический университет, Томск Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
1
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DDI 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St. Andrews, KY16 9SS, UK
1
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук