"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
12086
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
205

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бойков Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Долбак А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Липатов И.И.
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
3
Пчеляков О.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Герасимов В.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет, Новосибирск, Россия
1
Нижегородский государственный технический университет
1