"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12212
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
331

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
66
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
23
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
16
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
15
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
13
Ионизация вещества испаряющейся капли в неравновесной плазме
13
Расщепление резонансных частот акустических волн во вращающейся сжимаемой жидкости (газе)
12
Обнаружение противоположно направленных вихревых колец при дифракции фронта давления на отверстии
12
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
12
Коэрцитивность гранулированных ферромагнитных пленок и многослойных структур на их основе
12
Плавление наночастиц серебра в матрице стекла при лазерном отжиге
12
Электрические свойства фотодиодов на основе p-GaSb/p-GaInAsSb/ N-GaAlAsSb гетеропереходов
11
Исследование бистабильного электронного переключения в полиариленфталидах
11
Стационарная конфигурация заряженной поверхности проводящей жидкости в длинноволновом пределе
11
Исследования температурных зависимостей диэлектрических свойств металлополимерных композитных материалов на основе наночастиц оксида цинка, стабилизированных в матрице полиэтилена высокого давления
11
Порообразование в алюминиевых пленках на макропористом кремнии при высокотемпературном отжиге
11
Эффективная диэлектрическая проницаемость наноструктурированной пленки, содержащей сегнетоэлектрические гранулы эллиптической формы
11
Исследование функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением
11
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
11
Переориентационные фазовые переходы по концентрации в ультратонких магнитных пленках Fe1-xCox
11
Статья
Просмотров
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации
4560
Оптически стимулированная люминесценция кристаллов alpha-Al2O3, облученных протонами
1845
Зависимость коэффициента трения одномерно армированного волокнистого композита от свойств матрицы
1618
О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
1567
Способ определения динамического коэффициента трения на основе модифицированного метода Кольского
1496
Исследования тонких пленок FePt, синтезированных методом последовательного распыления
1491
Сенсорные свойства фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной
1455
Оптические свойства наночастиц gamma-оксида железа в матрице мезопористого оксида кремния
1440
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
1412
Ядерный магнитный резонанс в нанокристаллическом железе
1402
Управляемая коммутация высоковольтного газового разрядника с пикосекундной точностью
1365
Связь порога кавитации и максимальной интенсивности звуколюминесценции
1352
Магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках BiFeO3, Bi0.95Nd0.05FeO3 и Bi0.95La0.05FeO3
1328
Упругие свойства карбидных, нитридных и боридных керамик со структурой типа WC
1298
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
1297
Плазмохимический синтез карбидных соединений в потоке металлической плазмы вакуумно-дугового разряда
1274
Волна давления при наносекундном электрическом взрыве вольфрамового проводника в воде
1269
Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота
1247
Изменчивость фазы коэффициента отражения от границы льда в микроволновом диапазоне вблизи температуры фазового перехода
1246
Стабилизация внешними импульсами системы Ресслера в режиме "убегающей" траектории
1241
Ламинарно-турбулентный переход в сверхзвуковом пограничном слое при инициировании импульсного поверхностного разряда
1236
Влияние температуры формования на свойства нанокомпозитных пленок на основе полиэтилена высокого давления
1220
Анализ корреляционных свойств случайных процессов по сигналам малой длительности
1211
Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер
1209
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
1207
Режимы двухфазного течения в плоском коротком микроканале
1198
Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах
1193
Электроконвективная очистка жидкого диэлектрика
1186
Образование наночастиц оксида цинка при электрических разрядах в воде
1180
Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x
1162
Синтез нитрида никеля методом распыления никелевой мишени ионным пучком азота
1160
Магнитная структура сферического кластера однодоменных частиц
1159
Роль многофотонной ионизации в образовании и нагреве лазерной плазмы
1146
Аргоновый пропорциональный счетчик для рентгеновской спектроскопии с дозированным содержанием ксенона
1142
Аномальное пропускание света нематическими жидкокристаллическими ячейками
1123
Статический синтез микроалмазов из шихты, содержащей наноалмазы
1123
О зависимости коэффициента диффузии наночастиц от температуры
1122
Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария
1115
О возможности реализации странного аттрактора типа Смейла-Вильямса в радиотехническом генераторе с запаздыванием
1114
Оптический "диод" и всенаправленный отражатель на основе 1D фотонного квазипериодического кристалла
1113
Ускорение ионов плазмы, инжектированной в закритический релятивистский электронный пучок при его пространственно-временной модуляции
1095
Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
1091
Самоорганизация и электрооптические характеристики композита нематический жидкий кристалл-диацетат целлюлозы
1085
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
1082
Пьезо- и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата-титаната свинца
1082
Исследование лазерного абляционного нагружения полимеров
1078
Самоорганизующаяся микрогетерогенность и высокая протонная проводимость твердой эвтектики гидроксидов калия и натрия
1069
Управляемый сверхвысокочастотный жидкокристаллический фазовращатель
1068
Источник электронов и режим ускорения пикосекундного пучка в газовом диоде с неоднородным полем
1063
Зернограничная диффузия никеля в субмикрокристаллическом молибдене, полученном интенсивной пластической деформацией
1061
Автор
Организация
Статей
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Феоктистов Н.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Михеев Г.М.
ООО "Инженерный центр", Чебоксары Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск
5
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Абросимов Н.В.
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Boissier G.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Teissier R.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жиляев Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
4
Поцяск М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Баранов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Srinivasan G.
Physics Department, Oakland University, Rochester, Michigan, USA
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин Л.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лифшиц Д.А.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михрин С.С.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ижнин И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Щеглов М.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Долбак А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалый В.П.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
3
Пчеляков О.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Болтачев Г.Ш.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
9
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
5
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
5
Ужгородский национальный университет, Украина
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
4
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
4
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Исследовательский центр им. М.В. Келдыша, Москва, Россия
2
Тихоокеанский государственный университет, Хабаровск
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Пермский государственный университет
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
2
Ульяновский государственный университет
2
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Сибирский федеральный университет, Красноярск
2
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Берлинский технический университет, Берлин, Германия Донецкий физико-технический институт, Украина
2
Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS), Montpellier, France
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия НИИ магнитных материалов, Ланджоуский университет, Ланджоу КНР Вензоуский университет, Вензоу,, КНР
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Institute of Applied Physics, Hamburg, Germany II. Institute of Experimental Physics, RWTH Aachen, Aachen, Germany
1
НИИ энергетического машиностроения МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск
1
ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
1
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
1
Центральный аэрогидродинамический институт, Жуковский
1
Донецкий физико-технический институт НАН Украины Instytut Fizyki PAN, Al. Lotnikov 32, 02--668 Warszawa, Poland
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
1
Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет, Новосибирск, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme