Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 11 » Статья стр. 54
<<<>>>
Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя
Аксянов И.Г.1,2, Бессолов В.Н.1,2, Жиляев Ю.В.1,2, Компан М.Е.1,2, Коненкова Е.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Родин С.Н.1,2, Феоктистов Н.А.1,2, Шарофидинов Ш.1,2, Щеглов М.П.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes@triat.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
PDF версия
Продемонстрирован новый подход для подавления процесса образования трещин и одновременного снижения упругой деформации в GaN слое при хлоридной газофазной эпитаксии на Si (111) подложке за счет применения тонкого SiC слоя в качестве промежуточного. Слои GaN толщиной 20 mum были выращены с использованием AlN (300 nm) и дополнительного подслоя SiC (100 nm). Высокое качество полученного слоя продемонстрировано по спектрам фотолюминесценции (при 77 K проявляется экситонная полоса с hnumax=3.45 eV с полушириной 68 meV) и рентгеновской дифракции (FWHM для GaN (0002), omegatheta=600 arcsec). PACS: 68.55.A
  1. Dadgar A. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 297. P. 279--282
  2. Feltin E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 3230
  3. Komiyama J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091901
  4. Бессолов В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 15. С. 60
  5. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188
  6. Scholz R. et al. // Appl. Phys. A. 1998. V. 66. P. 59
  7. Nishino S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. P. 460
  8. Bustarret E. et al. // Phys. stat. sol. (a). 2003. V. 195. P. 18
  9. Мынбаева М.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 23. C. 25
  10. Zhang J.X. et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 282. P. 137
  11. Yamamoto A. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 261. P. 266
  12. Зубрилов А.С. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 10. С. 1173
  13. Бессолов В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 21. С. 30
  14. Kuball M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 724

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme