Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 11 » Статья стр. 46
<<<>>>
Исследование бистабильного электронного переключения в полиариленфталидах
Жеребов А.Ю.1,2, Лачинов А.Н.1,2, Genoe J.1,2, Тамеев А.Р.1,2, Ванников А.В.1,2
1Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
2IMEC, Leuven, Belgium Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Email: lachinov@anrb.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
PDF версия
Ранее сообщалось об обнаружении эффекта бистабильного переключения в тонких пленках полиариленфталидов. В ряде экспериментальных и теоретических работ было показано, что этот эффект связан с уникальными свойствами молекул этих полимеров и имеет электронную природу. Бистабильное переключение изучено на примере структур металл-полимер-металл и ITO-полимер-ITO при разной толщине полимерной пленки. Приведены первые экспериментальные результаты, демонстрирующие принципиальную возможность использования тонких пленок полиариленфталидов в качестве рабочего материала в ячейках резистивной энергонезависимой электронной памяти. Результаты проведенных экспериментов доказывают, что эффект в основном обусловлен электронными свойствами полимерной пленки, а влияния окисления электродов и роста металлических нитей из электродов не обнаружено. PACS: 73.50.Gr
  1. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. // Synth. Metals. 1991. V. 44. P. 99
  2. Tondelier D., Lmimouni K., Vuillaume D., Fery C., Haas G. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 5763
  3. Elsharkawi A.R., Kao K.C. // J. Phys. Chem. Solids. 1977. V. 38. P. 95
  4. Potember R.S., Poehler T.O., Cowan D.O. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 405
  5. Aguiar D.M., Freire J.A., Hummelgen I.A. // Adv. Mater. 2000. V. 12. P. 1063
  6. Lauters M., McCarthy B., Sarid D., Jabbour G.E. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 13507
  7. Ouyang J., Chu C.W., Szmanda C.R., Ma L., Yang Y. // Nat. Mat. 2004. V. 3. P. 918
  8. Bandyopadhyay A., Pal A.J. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1215
  9. Colle M., Buchel M., de Leeuw D.M. // Organic Electronics. 2006. V. 7. P. 305
  10. Karthauser S., Lussem B., Weides M., Alba M., Besmehn A., Oligschlaeger R., Waser R. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 94504
  11. Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Salaneck W.R. // Synth. Metals. 1994. V. 67. P. 319
  12. Салазкин С.Н., Рафиков С.P., Толстиков Г.А., Золотухин М.Г. // Докл. АН СССР. 1982. Т. 62. В. 2. С. 355
  13. Крайкин В.А., Салазкин С.Н., Комиссаров В.Д. // Высокомолек. соед. 1986. Т. Б 28. В. 4. С. 264
  14. Лачинов А.Н., Воробьева Н.В. // УФН. 2006. Т. 176. В. 12. С. 1249
  15. Fan J.C.C., Goodenough J.B. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 3524

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme