"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Кузубов С.В.1, Арсентьев И.Н.1, Тарасов И.С.1, Стародубцев А.А.1, Сысоев А.Б.1
1ГОУ ВПО Воронежская государственная технологическая академия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: phys@vgta.vrn.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Изучаются защитные свойства тонких пленок селенида галлия на GaAs, сформированных методом гетеровалентного замещения (ГВЗ). Методами просвечивающей (Hitachi H-800) и растровой электронной микроскопии (JEOL JSM-638 OLV) установлено, что обработка в парах селена усиливает ориентирующее действие подложки GaAs на последующее осаждение пленок этого же соединения по сравнению с подложками, покрытыми естественным оксидом. Показано, что обработка подложки GaAs в парах селена и последующее удаление образованного слоя Ga2Se3 повышает степень атомной гладкости поверхности подложки. PACS: 81.65.-b, 68.35.-p, 68.35.Bs.
  1. Торхов Н.А. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1205--1213
  2. Hwang J.S., Chang C.C., Chen M.F., Chen C.C. // Journal of Physics D: Applied Physics. 2003. V. 1. N 1. P. 348--353
  3. Бессолов В.Н., Лебедев М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 11. С. 1281--1299
  4. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. // ФТП. 1993. Т. 27. N 1. С. 131--135
  5. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. N 1. С. 24--32
  6. Палатник Л.С., Кошкин В.М., Белова Е.К., Рогачёва Е.И. // Соединения переменного состава. Химия. 1969. С. 434--455
  7. Кошкин В.М. // Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970. С. 26--35
  8. Безрядин Н.Н., Самойлов А.М., Прокопова Т.В., Сизов С.В. // Вестник ВГТУ: Материаловедение. 2002. Т. 1. В. 11. С. 47--51

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.