"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
12028
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
333
147

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1994 год:
Статья
Просмотров
Влияние пористости на скорости ультразвуковых волн в маталлах
27
Электрооптика нематических жидких кристаллов с гибридной ориентацией в режиме электрогидродинамической неустойчивости
20
Переформирование пикосекундных оптических импульсов многослойной полупроводниковой структурой с ``быстрым'' поглощением
19
Низкоэнергетическая электронная спектроскопия полного тока поверхностей (100) и (110) вольфрама
18
Влияние эффектов смешивания конфигурации на штарковскую структуру мультиплетов иона Pr3+ в LiYF4
18
Тороидальное и сферическое зеркало для энергоуглового анализа фотоэлектронов
18
Радиоизлучение в диапазоне средних и низких частот, вызванное широким атмосферным ливнем
18
Феноменологическое описание ВЧ пробоя газа низкого давления
18
Динамика пластических поворотов в среде с дислокациями и дисклинациями
17
Метод управления параметрами люминесценции пористого кремния в видимой области спектра
17
О механизме деградации системы ниобий-аморфный окисел ниобия
17
Распределение электронов по энергии при СВЧ вакуумно-плазменной обработке в магнитном поле
17
Просветляющие покрытия из фторидов иттрия, церия и тербия для кремниевых фотоэлектрических приборов
16
Формирование молекулярно-упорядоченных моно- и мультислоев ограниченно растворимых аналогов фосфолипидов методом Ленгмюра--Блоджетт
16
Электрические свойства монокристаллов 5CuCl·3RbCl
16
Доменная структура и необычная пьезоэлектрическая анизотропия кристаллов LiNbO 3 и LiTaO 3
16
Дуговой разряд в вакууме с газонаполненными электродами
16
Обращенный эффект дальнодействия в полупроводниковых кристаллах
16
Галатея открытого типа
16
Ультратонкие слои в системе InGaAsP/InP, полученные жидкофазной эпитаксией
16
Статья
Просмотров
Эффективная диэлектрическая проницаемость макрополосковой линии на сапфире ( r-срез)
886
Влияние пористости на скорости ультразвуковых волн в маталлах
850
Распределение электронов по энергии при СВЧ вакуумно-плазменной обработке в магнитном поле
730
О дифракции электромагнитной волны на одномерно периодической решетке из металлических спиралей
727
Изменение знака топологического заряда оптических вихрей поля многомодового волокна
722
Генерация векторных солитонов в волоконном лазере
719
Определение величины силы осциллятора оптического перехода для центров окраски в тонких пленках WO3
708
Кинематическая рентгеновская дифракция на политипной сверхрешетке с дефектами
684
Самофокусировка лазерного излучения при когерентном пленении населенностей
682
Фазовая модуляция оптического излучения в структурах с поверхностными плазмонами
679
Просветляющие покрытия из фторидов иттрия, церия и тербия для кремниевых фотоэлектрических приборов
677
Представление и обработка информации в квантовых компьютерах
675
Ударно-акустический пробой в жидкости. Кинетика вынужденного акустического рассеяния при фокусировке ударных волн
675
Влияние эффектов смешивания конфигурации на штарковскую структуру мультиплетов иона Pr3+ в LiYF4
674
Переформирование пикосекундных оптических импульсов многослойной полупроводниковой структурой с ``быстрым'' поглощением
666
Метод управления параметрами люминесценции пористого кремния в видимой области спектра
666
Размерный эффект снижения пороговой интенсивности оптического плазмообразования
663
Об использовании синхронизованных генераторов хаоса для передачи информационного сигнала
659
Возбуждение нелинейных молекулярных колебаний излучением циклического лазера на свободных электронах
658
Согласование решеток кубического (3C) гексагонального (4H) политипов карбида кремния
658
Дуговой разряд в вакууме с газонаполненными электродами
656
Обнаружение акцепторных и донорных молекул в растворе электролита
656
Эффективная сенсибилизация люминесценции ионов неодима трехвалентным титаном в фосфатном стекле
655
Изучение особенностей синхротронного света в системе FOFDOD
654
Физико-химические процессы на границе раздела контактов Au/Pt/Cr/Pt/GaAs, подвергнутых СВЧ отжигу
653
Возможности определения энергии миграции точечных дефектов методом атомно-силовой микроскопии
652
Магнитоакустические эффекты стимулирования структурных изменений в висмутсодержащей стеклокерамике
651
Дифференциальная отражательная спектроскопия поглощающих сверхтонких слоев на прозрачных подложках с двумя зеркально отражающими поверхностями при нормальном падении света
649
О различных режимах прохождения тока через органический полупроводник с нелинейной температурной зависимостью электропроводности
648
Обращенный эффект дальнодействия в полупроводниковых кристаллах
647
О связи пространственных неоднородностей накачки с мощностью генерации лазеров, возбуждаемых осколками деления урана
643
О распределении атомов примеси при delta-легировании в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
636
Исследование состава пленок оксида диспрозия методом ИК спектроскопии
633
Просветление двухфункциональных фотокатодов с отрицательным электронным родством на основе GaAsSb< Ge>
628
Критический квазиаттрактор: бесконечное самоподобное множество устойчивых циклов, возникающее при двухпараметрическом анализе перехода к хаосу
627
О природе температурной зависимости предела текучести твердых тел с различным типом межатомного взаимодействия
625
Полупроводниковый лазер на основе квантово-размерной структуры Zn1-xCdxSe/ZnSe с оптической накачкой
624
Подвижность носителей заряда в азиде серебра
623
Эффект размерной релаксации в кластерах серебра на графите
621
Принципы термооптической обратной связи в контактном лазерном скальпеле
618
Коллективное ускорение ионов на основе резонансной поверхностной фотоионизации
617
Анализатор поляризации на магнитном полупроводнике
614
Длинноволновая поперечная неустойчивость ударно-ионизационных волн в диодных структурах
611
Послойный анализ тонкопленочных образцов методом масс-спектрометрии вторичных ионов с дополнительной регистрацией тока образца
611
10mm Световодный механизм спектральной сенсибилизации красителями фотопроцессов в системе диэлектрик-полупроводник
608
Электрические свойства монокристаллов 5CuCl·3RbCl
605
Точные решения уравнений нелинейной акустики
605
Спонтанное разрушение внутримодовой фононной когерентности в автономном парамагнитном фазере
605
Пороговая плотность тока лазерных гетероструктур раздельного ограничения на основе GaInAsSb
604
К вопросу об исследовании ядерных реакций 2H( d,gamma) 4He и 2H( p,gamma) 3He при низких энергиях
604
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
5
Юшин Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимофеев Ф.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кузнецов В.А.
Институт проблем механики, Москва
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лапаева С.Н.
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
4
Саков Д.М.
Институт физической химии Москва
4
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
4
Липсон А.Г.
Институт физической химии Москва
4
Бондаренко В.П.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Дорофеев А.М.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Чувыров А.Н.
Отдел физики Уфимского научного центра
4
Левченко В.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Постнова Л.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фокин Б.С.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Фирсова Э.В.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
3
Гюре М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бирюлин Ю.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беленький М.Я.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Козловский В.В.
Научно-исследовательский институт ''Гириконд'' Санкт-Петербург
3
Трифонов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Урих К.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Айдинли А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лившиц Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев М.Е.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Сюзар Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баранов В.В.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Дивавин В.А.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мазуль И.В.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шенгуров В.Г.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Макаренков В.Н.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Ведмеденко Е.Ю.
Институт физики АН Украины Киев
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Озимов В.П.
НПО ЦКТИ им.И.И.Ползунова
3
Стучинская М.В.
Институт физики АН Украины Киев
3
Кувичка И.Н.
Институт физики АН Украины Киев
3
Курик М.В.
Институт физики АН Украины Киев
3
Матисов Б.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Месяц Г.А.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
76
Санкт-Петербургский государственный технический университет
18
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
6
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
6
Ярославский государственный университет
5
Институт физической химии Москва
5
Институт физики прочности и материаловедения Томск
4
Московский инженерно-физический институт
4
Институт общей физики Москва
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Харьковский государственный университет
3
Институт микроэлектроники Ярославль
3
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
3
Донецкий физико-технический институт
3
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Институт физики АН Украины Киев
3
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Москва
3
Пермский государственный университет
3
Институт проблем механики Москва
3
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
2
Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси Минск
2
Научно-исследовательский институт ''Гириконд'' Санкт-Петербург
2
Сыктывкарский государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный университет
2
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Института общей физики РАН при Мордовском государственном университете им.Н.П.Огарева
2
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Минск, Беларусь
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт кибернетики Тбилиси, Грузия
2
Саратовский Государственный университет им.Н.Г.Чернышевского
2
Институт теплофизики Новосибирск
2
Харьковский политехнический институт
2
Институт физики полупроводников Киев, Украина
2
Ереванский государственный университет
2
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики
2
Донецкий физико-технический институт Украина
2
Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры Саратов
2
Институт физики металлов Екатеринбург
2
Государственное научно-производственное предприятие ''Алмаз'' Саратов
2
Ростовский государственный университет
2
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
2
Отдел физики Уфимского научного центра
2
Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Институт электрофизики Екатеринбург
2
Ташкентский государственный университет
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme