Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения
Комков О.С.1, Пихтин А.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Фёдоров Л.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: ANPikhtin@mail.eltech.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
Предложен и реализован метод диагностики высококачественных эпитаксиальных слоев n-GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. При уменьшении концентрации свободных носителей заряда от 1015 до 1011 cm-3 и повышении качества эпитаксиальных слоев в спектрах фотоотражения GaAs наблюдался переход от традиционных осцилляций Франца-Kелдыша, усиленных экситонными эффектами, к слабой осциллирующей структуре в области энергий экситонных переходов. Показано, что периоды этих осцилляций близки. PACS: 71.55.Eq, 78.20.Jq, 78.30.Fs, 78.66.Fd, 78.68.+m.
- Zhilyaev Yu.V., Poletaev N.K., Botnaryuk V.M., Orlova T.A., Fedorov L.M., Yusupova Sh.A., Owens A., Bavdaz M., Peacock A., O'Meara B., Helava H. // Phys. stat. sol. (c). 2003. V. 0. N 3. P. 1024--1027
- Peters L., Phaneuf L., Kapitan L.W., Theis W.M. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. N 11. P. 4558--4562
- Sydor M., Angelo J., Mitchel W., Haas T.W., Yen M.-Y. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 1. P . 156--160
- Пихтин А.Н., Тодоров М.Т. // ФТП. 1993. Т. 27. N 7. С. 1139--1145
- Aspnes D.E., Studna A.A. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. N 10. P. 4605--4625
- Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 5. С. 608--613
- Dow J.D., Lao B.Y., Newman S.A. // Phys. Rev. B. 1971. V. 3. N 8. P. 2571--2581
- Глинский Г.Ф. // Дис. ... докт. физ.-мат. наук. СПб.: СПбГЭТУ, 1995
- Yin X., Chen H.-M., Pollak F.H., Chan Y., Montano P.A., Kirchner P.D., Pettit G.D., Woodall J.M. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 3. P. 260--262
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук