Взаимодействие атомов кремния с поверхностью иридия под воздействием сильного электрического поля и нагрева
Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н.
Поступила в редакцию: 18 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Методами полевой электронной микроскопии исследовалась конденсация Si на Ir-острие и последующие изменения формы кристалла при нагреве острия в присутствии сильного электрического поля. Обнаружено заметное упрочнение решетки Ir в результате диффузии в нее Si. При конденсации на Ir 10-12 моноатомных слоев Si термополевая обработка приводила к росту микровыступов в областях 113-112 , не наблюдавшихся при иных условиях, что связывается с полевой реконструкцией этих граней.
- Butenko V.G., Vlasov Yu.A., Golubev O.L. et al. Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 165--169
- Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. ЖТФ. 1996. Т. 66 (3). С. 88--96
- Sousa Prise J., Ali P., Growder B. et al. Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35 (2). P. 202--204
- Ohdmorai I., Kuan T.S., Tu K.N. Journ. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 11. P. 7020--7029
- Liu H.F., Liu H.M., Tsong T.T. Surf. Sci. 1986. V. 171. N 3. P. 501--514
- Агеев В.Н., Потехина Н.Д., Соловьев С.М. Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. N 2. С. 47--54
- Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. N 10. С. 47--53
- Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. 38th Int. Field Emission Symp. Program and Abstracts. Vienna, 1991. P. 1-3b
- Liu H.F., Liu H.N., Tsong T.T. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 524--526
- Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Конторович Е.Л. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 8. С. 86--91
- Brandon D.G. Surf. Sci. 1966. V. 5. P. 137--148
- Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. М.: Металлургия, 1972. С. 360
- Миллер М., Смит Т. Зондовый анализ в автоионной микроскопии. М.: Мир, 1993. С. 304
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук