Влияние биографических SiO2-включений на электрофизические свойства кремния
Махкамов Ш.М.1, Абдурахманова С.Н.1
1Институт ядерной физики АН Узбекистана Ташкент
Поступила в редакцию: 15 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
- Малышев В.А. ФТП. 1974. Т. 8. N 2. С. 148--153
- Рейви K. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. 475 с
- Кютт Р.П., Ситникова А.А., Сорокин Л.М. ФТТ. 1985. Т. 27. N 3. С. 673--677
- Юнусов М.С., Абдурахманова С.Н., Зайковская М.А., Каланов М.У. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 2. С. 61--64
- Калинушкин В.П. Труды института общей физики АН СССР. 1986. Т. 4. С. 3--59
- Гороховатский Ю.А. Основы термополяризационного анализа. М.: Наука, 1981. 173 с
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с
- Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1983. 240 с
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 656 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук