Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование процесса формирования границы Si/CeO 2 структур методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 12 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
- Chikyow T., Bedair S.M., Tye L. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 8. P. 1030--1032
- Tye L., El-Masry N.A., Chikyow T. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 24. P. 3081--3083
- Wu X.D., Dye R.C., Muenchausen R.E. et al. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 19. P. 2165--2167
- Ормонт Б.Ф. Структура неорганических веществ. М., 1950. С. 454
- Картенко Н.Ф., Мамутин В.В., Смольский О.В. и др. Письма в ЖТФ. 1995 (в печати)
- Wagner C.D., Riggs W.M., Davis L.E. et al. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corp., 1979. 190 p
- Миначев Х.М., Антошин Г.В., Шпиро Е.С. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе. Л.: Наука, 1981. 213 с
- Barr T.L. J. Phys. Chem. 1978. V. 82. N 16. P. 1801--1810
- Suzuki T., Muto M., Hara M. et al. Jap. J. Appl. Phys. 1986. V. 25. N 4. P. 544--551
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
