Резонансное преобразование плазмонов в гофрированной структуре металл--диэлектрик
Сычугов В.А.1, Тищенко А.В.1, Усиевич Б.А.1, Салахутдинов И.Ф.1
1Институт общей физики РАН, Москва
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Изучен процесс распространения длиннопробежных плазмонов на гофрированной металлической пленке, погруженной в диэлектрик. Показано, что гофрировка пленки приводит к появлению добавочных диссипативных потерь у этих плазмонов. Установлено, что причиной добавочных потерь является резонансная связь между длиннопробежным и короткопробежными плазмонами, возникающая вследствие гофрировки пленки.
- Sarid D. // Phys. Rev. Lett. 1981. V. 47. P. 1927
- Yang F., Sambles J.R., Bradberry G.W. // Phys. Rev. 1991. B44. P. 5855
- Booman R.A., Olson G.A., Sarid D. // Appl. Opt. 1986. V. 25. P. 2729
- Welford K.R., Sambles Y.R. // J. Mod. Opt. 1988. V. 35. P. 1467
- Sterkenburgh T., Franke H. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81 (2). P. 1011
- Салахутдинов И.Ф., Сычугов В.А., Тищенко А.В. и др. // Квантовая электроника. 1997. Т. 24 (9). С. 815
- Голубенко Г.А., Свахин А.С., Сычугов В.А., Тищенко А.В. // Квантовая электроника. 1985. Т. 12 (7). С. 1334
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук