Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры GaAsN/GaAs и InGaAsN/GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Мамутин В.В.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1, Цацульников А.Ф.1, Бедарев Д.А.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены гетероструктуры GaAsN/GaAs и InGaAsN/GaAs и исследовано влияние режимов выращивания на их характеристики. Показано, что внедрение азота приводит к существенному длинноволновому сдвигу излучения. На основе квантовых ям In0.28Ga0.72As0.97N0.03/GaAs продемонстрирована возможноcть получения излучения с длиной волны 1.4 mum при комнатной температуре.
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 1273
- Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 2442
- Nakahara K., Kondow K., Kitatani T., Yazawa Y., Uomi K. // Elecron. Lett. 1997. V. 32. P. 1585
- Francoeur S., Sivaraman G., Qiu Y., Nikishin S., Temkin H. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1857
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
