"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры GaAsN/GaAs и InGaAsN/GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Мамутин В.В.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1, Цацульников А.Ф.1, Бедарев Д.А.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены гетероструктуры GaAsN/GaAs и InGaAsN/GaAs и исследовано влияние режимов выращивания на их характеристики. Показано, что внедрение азота приводит к существенному длинноволновому сдвигу излучения. На основе квантовых ям In0.28Ga0.72As0.97N0.03/GaAs продемонстрирована возможноcть получения излучения с длиной волны 1.4 mum при комнатной температуре.
  • Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 1273
  • Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 2442
  • Nakahara K., Kondow K., Kitatani T., Yazawa Y., Uomi K. // Elecron. Lett. 1997. V. 32. P. 1585
  • Francoeur S., Sivaraman G., Qiu Y., Nikishin S., Temkin H. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1857
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.