"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Термоэлектрические свойства кремния при высоком давлении в области перехода полупроводник-металл
Щенников В.В.1,2, Попова С.Викт.1,2, Misiuk A.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, PL--02--668 Warsaw, Poland
Email: vladimir.v@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

На образцах кремния, выращенных методом Чохральского и отожженных при 450oC, выполнены измерения термоэдс в камере с синтетическими алмазами при давлении до 16 GPa. Установлена корреляция экспериментальных зависимостей термоэдс от давления и, в частности, величины давления перехода полупроводник-металл, и механических свойств (микротвердости, сжимаемости) для образцов кремния с различным содержанием кислорода. Определены значения термоэдс в металлических фазах высокого давления.
  1. Eaton W.P., Smith J.H. // Smart Mater. Struct. 1997. V. 6. P. 530--539
  2. Antonova I.V., Misiuk A., Popov V.P. et al. // Physica B. 1996. V. 225. P. 251--257
  3. Antonova I.V., Misiuk A., Popov V.P. et al. // Physica B. 1998. V. 253. P. 131--137
  4. Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К. // ФТП. 1993. Т. 27. N 9. С. 1549--1555
  5. Minomura S., Drickamer H.D. // J. Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. P. 451--456
  6. Bundy F.P. // J. Chem. Phys. 1964. V. 41. N 12. P. 3809--3814
  7. Olijnyk H., Sikka S.K., Holzapfel W.B. // Physics Letters. 1984. V. 103A. P. 137--140
  8. Jing Zhu Hu, Merkle L.D., Menoni C.S. et al. // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. P. 4679--4684
  9. McMahon M.I., Nelmes R.J., Wright N.G. et al. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 739--743
  10. Hebbache M., Mattesini M., Szefiel J. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 205201--1--6
  11. Mignot J.M., Chouteau G., Martinez G. // Physica B. 1985. V. 135. N 1--3. P. 235--238
  12. Biswas R., Kertesz M. // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. N 4. P. 1791--1797
  13. Gilev S.D., Trubachev A.M. // Phys. Stat. Sol. b. 1999. V. 211. N 1. P. 379--383
  14. Щенников В.В. // ФММ. 1989. Т. 67. N 1. С. 93--96
  15. Shchennikov V.V., Derevskov A.Yu. et al. // XXXVI EHPRG Meeting. Catania. Italy, 1998. Book of Abstracts. P. 121--122. // Process. Equipment and Materials Control in Integrated Circuit Manufacturing III. Eds. Ghanbari, A.J. Toprac. Proceedings of SPIE. 1997. V. 3213. P. 261--268
  16. Shchennikov V.V. // Phys. Stat. Sol. b. 2001. V. 223. N 1--2. P. 561--565
  17. Weber L., Lehr M., Gmelin E. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 9511--9514
  18. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.F., Uliyanitskaya N.M. // High Temp.-High. Pres. 1973. V. 5. P. 261
  19. Polvani D.A., Meng J.F., Hasegawa M. et al. // Rev. Sci. Instrum. 1999. V. 70. P. 3586--3589
  20. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. // ФТП. 1982. Т. 17. С. 958--960
  21. Sakai N., Takemura K., Tsuji K. // J. Phys. Soc. Japan. 1982. V. 51. P. 1811
  22. Shchennikov V.V., Bazhenov A.V. // Rev. of High Pres. Sci. \& Tech. 1997. V. 6. P. 657
  23. Shchennikov V.V., Derevskov A.Yu. // High Pressure Chemical Engineering. Ed. R.V. Rohr and Ch. Trepp. Elsevier Publ. Co. Amsterdam-...-Tokyo, 1996. P. 667--672
  24. Shimomura O., Minomura S., Sakai N. et al. // Phil. Mag. 1974. V. 29. P. 547--558
  25. Zhao Y.-X., Buehler F., Sites J.R. et al. // Solid State Commun. 1986. V. 59. P. 679--682
  26. Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Кац М.С. Физика процессов микроиндентирования. Кишинев: Штиинца, 1986. 294 с
  27. Eremenko V.G., Nikitenko V.I. // Phys. Stat. Sol. a. 1972. V. 14. P. 317
  28. Gridneva I.V., Milman Yu.V., Trefilov V.I. // Phys. Stat. Sol. a. 1972. V. 14. P. 177--182
  29. Lee Y.J., Boehm J. von, Nieminen R.M. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 1453--1455
  30. Jurkschat K., Senkader S., Wilshaw P.R. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 3219--3225
  31. Harada H., Sumino K. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 7. P. 4838--4842

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.