Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 7 » Статья стр. 9
<<<>>>
Исследование методом микрокатодолюминесценции ростовых особенностей эпитаксиальных GaN слоев на сапфире
Усиков А.С.1, Третьяков В.В.1, Лундин В.В.1, Задиранов Ю.М.1, Пушный Б.В.1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
PDF версия
Проведены исследования режимов роста эпитаксиальных нелегированных слоев GaN при различных режимах нитридизации подложки. Обнаружено, что при температуре нитридизации ~1000oC формируются пленки с характерными ростовыми особенностями в виде гексагональных пирамид со сглаженной поверхностью между ними. В картине катодолюминесценции в пирамидах обнаружена тонкая структура, в которой выявлена область с донорно-акцепторной рекомбинацией (ДАР). Формирование акцепторных уровней в этой области было связано с собственными структурными дефектами слоев GaN с ненасыщенными (оборванными) связями. Наличие линии ДАР в зеркально-гладких эпитаксиальных пленках может указывать на присутствие в них структурных дефектов данного типа.
  1. Ponce F.A., Bour D.P. // Nature. 1997. V. 386. N 6623. P. 351
  2. Nakamura S. // Proc. of Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes. Chiba Univ., Japan. 1996. March 5--7. P. 119
  3. Skeller, Kapolnec D., Keller B.P., Wu Y., Heying B., Speck J.S., Mishra U.K., Denbaars S.P. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. L 285
  4. Lundin W.V., Pushnyi B.V., Usikov A.S., Gaevski M.E., Baidakova M.E., Sakharov A.V. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. N 155. P. 319
  5. Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. // J. Cryst. Grown. 1998. V. 98. P. 209
  6. Qian W., Scowronski M., De Graef M., Doverspike K., Rowland L.B., Gaskill D.K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 1252
  7. Qian W., Roher S., Scowronski M., Doverspike K., Rowland L.B., Gaskill D.K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 2284
  8. Ponce F.A., Bour D.P., Gotz W., Wright P.J. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 57
  9. Ilegems M., Dingle R. // Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 4234
  10. Salvador A., Kim W., Aktas O., Botchkarev A., Fan Z., Markoc H. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 2692
  11. Usikov A.S., Lundin W.V., Ushakov U.I., Stepanov M.B., Pushnyi B.V., Faleev N.N., Shmidt N.M., Tretyakov V.V. // Abstract of 48 annual meeting of the electrochimical society. 1997. P. 2113

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme