Проведены исследования режимов роста эпитаксиальных нелегированных слоев GaN при различных режимах нитридизации подложки. Обнаружено, что при температуре нитридизации ~1000^oC формируются пленки с характерными ростовыми особенностями в виде гексагональных пирамид со сглаженной поверхностью между ними. В картине катодолюминесценции в пирамидах обнаружена тонкая структура, в которой выявлена область с донорно-акцепторной рекомбинацией (ДАР). Формирование акцепторных уровней в этой области было связано с собственными структурными дефектами слоев GaN с ненасыщенными (оборванными) связями. Наличие линии ДАР в зеркально-гладких эпитаксиальных пленках может указывать на присутствие в них структурных дефектов данного типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.