Радиационные эффекты в полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов
Ренгевич А.Е.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 16 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Рассматривается влияние gamma-радиации 60Co на вольт-амперные характеристики транзисторов с высокой подвижностью электронов в канале в диапазоне доз от 1·104 до 6·108 R. Показано, что до суммарной дозы 1·107 R изменений не наблюдалось, а при превышении 1·108 R наступает радиационно-стимулированная деградация транзисторов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых эффектов.
- Цулег Р. // ТИИЭР. 1989. Т. 77. N 3. С. 24--44
- Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 3. С. 413--420
- Демарина Н.В., Оболенский С.В. // Зарубежная радиоэлектроника. 1997. N 4. С. 66--79
- Венгер Е.Ф., Ильин И.Ю., Конакова Р.В., Коротченков Г.С., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Ренгевич А.Е., Руссу Е.В., Прокопенко И.В. // Материалы 8й Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". Севастополь: Вебер Украина, 1998. С. 109--112
- Belyaev A.E., Breza J., Venger E.F., Vesely M., II'in I. Yu., Konakova R.V., Liday J., Lyapin V.G., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Tkhorik Yu.A. Radiation Resistance of GaAs--Based Microwave Schottky Barrier Devices. Some physico-technological aspects. Kiev: Интерпрес Лтд, 1998. 128 p
- Брайловский У.Ю., Конакова Р.В., Масенко Б.П., Семенова Г.Н., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. // Радиационные эффекты в твердых телах. Киев: Наук. думка, 1977. С. 180
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук