Вышедшие номера
Дальнодействующее геттерирование микродефектов в монокристаллах кремния при формировании на их поверхности слоев пористого кремния и ионном облучении
Перевощиков В.А.1, Скупов В.Д.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Приводятся экспериментальные данные о растворении микродефектов в приповерхностных областях монокристаллов кремния при электрохимическом формировании слоев пористого кремния и последующем облучении ионами аргона. Уменьшение концентрации микродефектов зафиксировано вблизи границы раздела с пористым кремнием и вблизи обратной поверхности образцов.