Вышедшие номера
Влияние анодного травления сильно легированного кремния на положение плазменного минимума
Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Приведены экспериментальные результаты, показывающие, что при формировании слоев пористого Si на сильно легированном n-Si минимум в спектре отражения сильно смещается в область меньших частот.
  1. Prasad A., Balakrishnan S., Jain S.K., Jain G.C. // Journ. El. Soc. 1982. V. 129 (3). P. 596
  2. Strehlke S., Sarti D., Krotkus A., Grigoras K., Levy-Clement C. // Thin Solid Films, 1997. V. 297. P. 291--295
  3. Shirone L., Sotgiu G., Califano F.P. // Thin Solid Films. 1997. V. 297. P. 296--298
  4. Spitzer W.G., Fan H.Y. // Phys. Rev. 1957. V. 106 (5). P. 882--889
  5. Gardner E.E., Kappallo W., Gordon C.R. // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 9 (12). P. 432--434
  6. Hardeman R.W., Beale M.I.J., Gasson D.B., Keen J.M., Pickering C., Robbins D.J. // Surf. Sci. 1985. V. 152/153. P. 1051--1062
  7. Irvin J.C. // Bell Syst. Techn. J. 1962. V. 41. P. 387--410

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.