Вышедшие номера
Магнитная кристаллографическая анизотропия эпитаксиальных пленок Fe/GaAs (100)
Высоцкий С.Л.1, Гельбух С.С.1, Джумалиев А.С.1, Казаков Г.Т.1, Филимонов Ю.А.1, Цыплин А.Ю.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
Поступила в редакцию: 31 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследованы анизотропные свойства пленок Fe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (100). Показано, что, начиная с толщин t=40... 50 Angstrem, в пленках Fe начинает проявляться кубическая магнитная анизотропия. При толщинах пленок t>100 Angstrem первая константа кубической анизотропии K1 приобретает значения, близкие к значениям для "объемных" монокристаллов Fe. В пленках промежуточных толщин 50<t<100 Angstrem присутствуют как изотропная, так и анизотропная фазы.