Вышедшие номера
Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
Минобрнауки России, Госзадание "Исследование механизмов электрофизических процессов в полупроводниковых структурах датчиков рентгеновского излучения", № 3.9506.2017/8.9
Президент РФ, № 14.Z56.16.4518-МК
Трегулов В.В.1, Литвинов В.Г.2, Ермачихин А.В.2
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929