Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
Минобрнауки России, Госзадание "Исследование механизмов электрофизических процессов в полупроводниковых структурах датчиков рентгеновского излучения", № 3.9506.2017/8.9
Президент РФ, № 14.Z56.16.4518-МК
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия 
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929
- Handbook of porous silicon / Ed. L. Canham. Springer International Publ., 2014. 1017 p
- Remache L., Fourmond E., Mahdjoub A. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2011. V. 176. N 1. P. 45--48
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир., 1984. 456 с
- Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V. et al. // Proc. of IEEE Int. Conf. industrial technology (ICIT). Seville, Spain, 2015. P. 1071--1074
- Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V. et al. // MRS Adv. 2016. V. 1. N 14. P. 911--916
- Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. 162 с
- Улин В.П., Улин Н.В., Солдатенков Ф.Ю. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 4. С. 481--496
- Стецюра С.В., Козловский А.В., Маляр И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 4. С. 24--32
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
