Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка
Грант Главы Республики Дагестан в 2106 г., Наука, техника и инновации
Абдуев А.Х.
1, Асваров А.Ш.
1, Ахмедов А.К.
1, Эмиров Р.М.
2, Беляев В.В.
3
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
3Московский государственный областной университет
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
3Московский государственный областной университет
Email: cht-if-ran@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Выполнены сравнительные исследования микроструктуры, оптических и электрических характеристик слоев ZnO, легированного галлием, синтезированных методом магнетронного распыления при ассистировании процесса роста ультрафиолетовым излучением и без ассистирования. Обнаружено, что УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе ZnO способствует улучшению их электрических характеристик за счет создания дополнительных донорных центров и снижения рассеяния носителей заряда на межзеренных границах, существенно не влияя при этом на морфологию слоев и средний коэффициент оптического пропускания в видимой области спектра. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45259.16874
- Stadler A. // Materials 2012. V. 5. P. 661
- Abduev A., Akmedov A., Asvarov A. et al. // Plasma Process. Polym. 2015. V. 12. P. 725
- Horwat D., Mickan M., Chamorro W. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. P. 951
- Tien Ch.-L., Yu K.-Ch., Tsai T.-Y. et al. // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 354. P. 79
- Tominaga K., Umezu N., Mori I. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 85
- Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2011. V. 291. P. 012039
- Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 14. С. 71
- Morrison S.R. The chemical physics of surfaces. N. Y.-London: 1977. 415 p. [ Моррисон C. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 488 с.]
- Tseng Y.-K., Pai F.-M., Chen Y.-Ch. et al. // Electron. Mater. Lett. 2013. V. 9. P. 771
- Достанко А.П., Агеев О.А., Голосов Д.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 9. С. 1274
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
