Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание , 3.7331.2017/9.10
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), А, 16-07-00187А
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14029 офи_м
Российский научный фонд, 14-29-00277
Хусяинов Д.И
1, Буряков А.М.
1, Билык В.Р.
1, Мишина Е.Д.
1, Пономарев Д.С.
2, Хабибуллин Р.А.
2, Ячменев А.Э.
2
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия 
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: Husyainov@mirea.ru, bello16@mail.ru, mishina_elena57@mail.ru, Dinar1434429@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках InyGa1-yAs. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки InyGa1-yAs с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958
- Jepsen P.U. et al. // Laser Photon. Rev. 2011. V. 5. P. 124
- Falconer R.J. et al. // J. Infrared Millimeter Terahertz Waves. 2012. V. 33. P. 973
- Federici J.F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. S266
- Berry C.W. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 1610
- Globisch B. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. P. 053102
- Галиев Г.Б. и др. // Рос. нанотехнологии. 2015. Т. 10. N 7--8. C. 69
- Galiev G.B. et al. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 392. P. 11
- Пономарев Д.С. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. С. 535
- Khusyainov D.I. et al. // J. Mod. Phys. B. 2017. V. 31. P. 1
- Kimel A.V. et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 235201
- Галиев Г.Б. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. P. 529
- Ortiz V. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 043515
- Wells N.P. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. P. 073506
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
