Вышедшие номера
Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание , 3.7331.2017/9.10
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), А, 16-07-00187А
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14029 офи_м
Российский научный фонд, 14-29-00277
Хусяинов Д.И 1, Буряков А.М. 1, Билык В.Р. 1, Мишина Е.Д. 1, Пономарев Д.С. 2, Хабибуллин Р.А. 2, Ячменев А.Э. 2
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: Husyainov@mirea.ru, bello16@mail.ru, mishina_elena57@mail.ru, Dinar1434429@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках InyGa1-yAs. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки InyGa1-yAs с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958