Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-60087
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-00172
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: idl@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг < 110> в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходит поворот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (001). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44299.16494
- Warren E.L., Kibbler A.E., France R.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 107. P. 082109
- Takagi Y., Furukawa Y., Wakahara A. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 063506-1
- Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. // УФН. 2008. Т. 178. С. 459--480
- Lin A.C., Fejer M.M., Harris J.S. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 363. P. 258--263
- Емельянов Е.А., Коханенко А.П., Пчеляков О.П. и др. // Изв. вузов. Физика. 2013. Т. 56. N 1. С. 49--54
- Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. N 3. С. 264--267
- Колесников А.В., Ильин А.С., Труханов Е.М. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75. N 5. С. 652--655
- Емельянов Е.А., Феклин Д.Ф., Путято М.А. и др. // Автометрия. 2014. Т. 50. N 3. С. 13--24
- Nagai H. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. Р. 3789
- Труханов Е.М., Колесников А.В., Лошкарев И.Д. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. N 5. С. 100--107.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
